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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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S5D10170H2

S5D10170H2

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

294 -
S5D10170H2

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 978pF @ 0V, 1MHz 44A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
ST15150S

ST15150S

ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIERS

SMC Diode Solutions

7,826 -
ST15150S

数据表

- TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 150 V 1.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 150 V - 15A - - Surface Mount TO-277B -55°C ~ 150°C
S3D40065D1

S3D40065D1

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

297 -
S3D40065D1

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 3100pF @ 0V, 1MHz 128A - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
S3D50065F

S3D50065F

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

294 -
S3D50065F

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 680 V 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 680 V 3120pF @ 0V, 100MHz 112A - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
S4D40120F

S4D40120F

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

500 -
S4D40120F

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active - - - - - - - - - - Through Hole ITO-220AC -
S4D30120F

S4D30120F

1200V, 30A, ITO-220AC, SIC SCHOT

SMC Diode Solutions

250 -
S4D30120F

数据表

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
S4D30120H

S4D30120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 94A TO247AC

SMC Diode Solutions

1,170 -
S4D30120H

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 2581pF @ 0V, 1MHz 94A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
S3D100068H2

S3D100068H2

SILICON CARBIDE DIODE 680V, 100A

SMC Diode Solutions

300 -
S3D100068H2

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 680 V 1.7 V @ 100 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 680 V 6400pF @ 0V, 1MHz 180A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
S5D25170H

S5D25170H

1700V, 25A, TO-247AC, SIC SCHOTT

SMC Diode Solutions

107 -
S5D25170H

数据表

- TO-247-2 Tube Active Schottky 1700 V 1.8 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1700 V 2252pF @ 0V, 1MHz 66A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
SDUR2060W

SDUR2060W

DIODE GEN PURP 600V 20A TO247AC

SMC Diode Solutions

2,935 -
SDUR2060W

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 1.7 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 600 V - 20A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
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