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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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SDUR8060W

SDUR8060W

600V, 80A, TO-247AC, ULTRA FAST

SMC Diode Solutions

40 -
SDUR8060W

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 1.8 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 500 µA @ 600 V - 80A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
S3D08065M

S3D08065M

DIODE SILICON CARBIDE 650V 24A

SMC Diode Solutions

600 -
S3D08065M

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 650pF @ 0V, 1MHz 24A - - Surface Mount - -55°C ~ 175°C
S3D06065L

S3D06065L

DIODE SCHOTTKY 650V 24A 5DFN

SMC Diode Solutions

364 -
S3D06065L

数据表

- 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 µA @ 650 V 382pF @ 0V, 1MHz 24A - - Surface Mount 5-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
S3D10065M

S3D10065M

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

245 -
S3D10065M

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 40 µA @ 650 V 727pF @ 0V, 1MHz 36A - - Surface Mount 8-PDFNWB (5x6) -55°C ~ 175°C
SICRF10650CT

SICRF10650CT

DIODE SIL CARB 650V 5A ITO220AB

SMC Diode Solutions

28 -
SICRF10650CT

数据表

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V - 5A - - Through Hole ITO-220AB -55°C ~ 175°C
UF27520070A1.T

UF27520070A1.T

DIODE GEN PURP 200V 90A DIE

SMC Diode Solutions

80 -
UF27520070A1.T

数据表

- Die Tray Active Standard 200 V 1 V @ 90 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 60 µA @ 200 V - 90A - - Surface Mount Die 150°C (Max)
S4D10120L1

S4D10120L1

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A 5DFN

SMC Diode Solutions

83 -
S4D10120L1

数据表

- 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz 10A - - Surface Mount 5-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
S5D10170H

S5D10170H

1700V, 10A, TO-247AC, SIC SCHOTT

SMC Diode Solutions

100 -
S5D10170H

数据表

- TO-247-2 Tube Active Schottky 1700 V 1.8 V @ 1.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1700 V 994pF @ 0V, 1MHz 44A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
S4D30120G

S4D30120G

1200V, 30A, D2PAK, SIC SCHOTTKY

SMC Diode Solutions

92 -
S4D30120G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 1200 V 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 2581pF @ 1V, 1MHz 94A - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
50HQ040

50HQ040

DIODE SCHOTTKY 40V 60A DO5

SMC Diode Solutions

100 -
50HQ040

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Box Active Schottky 40 V 600 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 40 V 2600pF @ 5V, 1MHz 60A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
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