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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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UJ3D06520KSD

UJ3D06520KSD

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3

Qorvo

9,218 -
UJ3D06520KSD

数据表

Gen-III TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 654pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
UJ3D1210KSD

UJ3D1210KSD

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO247-3

Qorvo

528 -
UJ3D1210KSD

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz 5A - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
UJ3D1210KS

UJ3D1210KS

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3

Qorvo

9,315 -
UJ3D1210KS

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
UJ3D1725K2

UJ3D1725K2

DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2

Qorvo

4,349 -
UJ3D1725K2

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 1.7 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 360 µA @ 1700 V 1500pF @ 1V, 1MHz 25A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1250K2

UJ3D1250K2

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2

Qorvo

14,813 -
UJ3D1250K2

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 2340pF @ 1V, 1MHz 50A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1210TS

UJ3D1210TS

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

Qorvo

8,990 -
UJ3D1210TS

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06560KSD

UJ3D06560KSD

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Qorvo

6,369 -
UJ3D06560KSD

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 740 µA @ 650 V 1980pF @ 1V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
UJ3D1250K

UJ3D1250K

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3

Qorvo

6,427 -
UJ3D1250K

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 2340pF @ 1V, 1MHz 50A - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
UJ3D1202TS

UJ3D1202TS

DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2

Qorvo

16,006 -
UJ3D1202TS

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 22 µA @ 1200 V 109pF @ 1V, 1MHz 2A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06506TS

UJ3D06506TS

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2

Qorvo

57,316 -
UJ3D06506TS

数据表

Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 196pF @ 1V, 1MHz 6A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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