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单个二极管
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） | 电压 - 正向 (Vf)（最大值）@ If | 速度 | 反向恢复时间 (trr) | 电流 - 反向漏电 @ Vr | 电容 @ Vr, F | 电流 - 平均整流（Io） | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 | 工作温度 - 结点 |
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P3D06008I2DIODE SIL CARB 650V 21A TO220I-2 PN Junction Semiconductor |
3,691 | - |
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数据表 |
P3D | TO-220I-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | - | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 36 µA @ 650 V | - | 21A | - | - | - | TO-220I-2 | -55°C ~ 175°C |
