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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
MURS160T3H

MURS160T3H

DIODE GEN PURP 600V 2A SMB

onsemi

6,946 -
MURS160T3H

数据表

- DO-214AA, SMB Tray Obsolete Standard 600 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 600 V - 2A - - Surface Mount SMB -65°C ~ 175°C
MURS320T3H

MURS320T3H

DIODE GEN PURP 200V 4A SMC

onsemi

2,238 -
MURS320T3H

数据表

- DO-214AB, SMC Tray Obsolete Standard 200 V 890 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 5 µA @ 200 V - 4A - - Surface Mount SMC -65°C ~ 175°C
MURS360T3H

MURS360T3H

DIODE GEN PURP 600V 4A SMC

onsemi

4,351 -
MURS360T3H

数据表

- DO-214AB, SMC Tray Obsolete Standard 600 V 1.28 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V - 4A - - Surface Mount SMC -65°C ~ 175°C
1N4002G

1N4002G

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

onsemi

11,285 -
1N4002G

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 100 V 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 1A - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
SS24T3H

SS24T3H

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB

onsemi

5,043 -
SS24T3H

数据表

- DO-214AA, SMB Tray Obsolete Schottky 40 V 500 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 400 µA @ 40 V - 2A - - Surface Mount SMB -55°C ~ 150°C
SS26T3H

SS26T3H

DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB

onsemi

2,160 -
SS26T3H

数据表

- DO-214AA, SMB Tray Obsolete Schottky 60 V 630 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 60 V - 2A - - Surface Mount SMB -55°C ~ 150°C
FDH400

FDH400

DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

onsemi

9,548 -
FDH400

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 150 V 1.1 V @ 300 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 150 V 2pF @ 0V, 1MHz 200mA - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
BAX16

BAX16

DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

onsemi

8,442 -
BAX16

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 150 V 650 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 120 ns 100 nA @ 150 V - 200mA - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
1N4937G

1N4937G

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

onsemi

6,356 -
1N4937G

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 600 V 1.2 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 5 µA @ 600 V - 1A - - Through Hole Axial -65°C ~ 150°C
1N4935G

1N4935G

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

onsemi

5,120 -
1N4935G

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.2 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 5 µA @ 200 V - 1A - - Through Hole Axial -65°C ~ 150°C
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