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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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SICU0460B-TP

SICU0460B-TP

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK

Micro Commercial Co

2,413 -
SICU0460B-TP

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 15 µA @ 650 V 200pF @ 0V, 1MHz 4A - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
MUR6060B-BP

MUR6060B-BP

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Micro Commercial Co

512 -
MUR6060B-BP

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 1.7 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 15 µA @ 600 V - 60A - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
MUR60120BS-BP

MUR60120BS-BP

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD

Micro Commercial Co

1,225 -
MUR60120BS-BP

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 130 ns 5 µA @ 1200 V 170pF @ 4V, 1MHz 60A - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 150°C
SIC1060P-BP

SIC1060P-BP

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

Micro Commercial Co

4,898 -
SIC1060P-BP

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 44 µA @ 650 V 36pF @ 400V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
SICPT10120Y-BP

SICPT10120Y-BP

SCHOTTKY DIODES

Micro Commercial Co

2,134 -
SICPT10120Y-BP

数据表

- TO-247-2 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.54 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 13 µA @ 1200 V 700pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
SIC05120B-BP

SIC05120B-BP

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC

Micro Commercial Co

4,895 -
SIC05120B-BP

数据表

- TO-220-2 Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 3 µA @ 1200 V 353pF @ 0V, 1MHz 5A - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
SICB20120Y-TP

SICB20120Y-TP

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK

Micro Commercial Co

1,540 -
SICB20120Y-TP

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 1200 V 1552pF @ 0V, 1MHz 20A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
SICB2060Y-TP

SICB2060Y-TP

SCHOTTKY DIODES

Micro Commercial Co

7,941 -
SICB2060Y-TP

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 1157pF @ 0V, 1MHz 20A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
SIC2060Y-BP

SIC2060Y-BP

SCHOTTKY DIODES

Micro Commercial Co

3,538 -
SIC2060Y-BP

数据表

- TO-220-2 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 1157pF @ 0V, 1MHz 20A - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
SIC20120Y-BP

SIC20120Y-BP

SIC SBD,TO-220AC

Micro Commercial Co

4,348 -
SIC20120Y-BP

数据表

- TO-220-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 1200 V 1552pF @ 0V, 1MHz 61A - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
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