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单个二极管
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） | 电压 - 正向 (Vf)（最大值）@ If | 速度 | 反向恢复时间 (trr) | 电流 - 反向漏电 @ Vr | 电容 @ Vr, F | 电流 - 平均整流（Io） | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 | 工作温度 - 结点 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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G3S06503ADIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Global Power Technology-GPT |
390 | - |
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数据表 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 1.7 V @ 3 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 181pF @ 0V, 1MHz | 11.5A | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
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G3S06504CDIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252 Global Power Technology-GPT |
3,978 | - |
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数据表 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 181pF @ 0V, 1MHz | 11.5A | - | - | Surface Mount | TO-252 | -55°C ~ 175°C | |
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G3S06504ADIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Global Power Technology-GPT |
13 | - |
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数据表 |
- | TO-220-2 | Cut Tape (CT) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 181pF @ 0V, 1MHz | 11.5A | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
