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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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FR20A02

FR20A02

DIODE GEN PURP 50V 20A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,488 -
FR20A02

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 50 V 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - 20A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR20B02

FR20B02

DIODE GEN PURP 100V 20A DO5

GeneSiC Semiconductor

9,514 -
FR20B02

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - 20A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR20D02

FR20D02

DIODE GEN PURP 200V 20A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,103 -
FR20D02

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - 20A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR20G02

FR20G02

DIODE GEN PURP 400V 20A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,977 -
FR20G02

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - 20A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR20J02

FR20J02

DIODE GEN PURP 600V 20A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,574 -
FR20J02

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 25 µA @ 50 V - 20A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
GD30MPS12J

GD30MPS12J

DIODE SIL CARB 1.2KV 59A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

5,115 -
GD30MPS12J

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz 59A - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
GAP3SLT33-220FP

GAP3SLT33-220FP

DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP

GeneSiC Semiconductor

2,729 -
GAP3SLT33-220FP

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 1.7 V @ 300 mA - 0 ns 5 µA @ 3300 V 42pF @ 1V, 1MHz 300mA - - Through Hole TO-220FP -55°C ~ 175°C
FR12BR02

FR12BR02

DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,472 -
FR12BR02

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 100 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12DR02

FR12DR02

DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,320 -
FR12DR02

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 100 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12GR02

FR12GR02

DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,185 -
FR12GR02

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 100 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
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