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二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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CBR20120PC

CBR20120PC

DIODE ARR SIC 1200V 20A TO220-3L

Bruckewell

15 -
CBR20120PC

数据表

- TO-220-3 Bulk Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 20A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-220-3L
113CNQ100SM

113CNQ100SM

DIODE ARR SCHOTT 100V 55A PRM2SM

SMC Diode Solutions

48 -
113CNQ100SM

数据表

- PRM2-SM Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 55A 810 mV @ 55 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 100 V 100 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole PRM2-SM
63CNQ100

63CNQ100

DIODE MODULE SCHOT 100V 30A PRM3

SMC Diode Solutions

44 -
63CNQ100

数据表

- PRM3 Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 30A 930 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 100 V 100 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount PRM3
APT2X31D60J

APT2X31D60J

DIODE MODULE GP 600V 30A ISOTOP

Microchip Technology

18 -
APT2X31D60J

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent Standard 30A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 250 µA @ 600 V 600 V - - - Chassis Mount ISOTOP®
IV1D12030U3

IV1D12030U3

DIODE ARR SIC 1200V 44A TO247-3

Inventchip

100 -
IV1D12030U3

数据表

- TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 44A (DC) 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
SK2U200-600

SK2U200-600

DIODE 600V 200A SOT227

SMC Diode Solutions

36 -
SK2U200-600

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
MSCD36-08

MSCD36-08

DIODE MODULE GP 800V 36A D1

Microsemi Corporation

10 -
MSCD36-08

数据表

- D1 Bulk Obsolete 1 Pair Series Connection Standard 36A 1.25 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 800 V 800 V - - - Chassis Mount D1
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