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二极管阵列
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 二极管配置 | 技术 | 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管） | 电压 - 正向 (Vf)（最大值）@ If | 速度 | 反向恢复时间 (trr) | 电流 - 反向漏电 @ Vr | 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） | 工作温度 - 结点 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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HSM107S-JTLDIODE SCHOTTKY BARRIER Renesas Electronics Corporation |
1,400 | - |
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数据表 |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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HSM226STR-EDIODE SCHOTTKY BARRIER Renesas Electronics Corporation |
21,000 | - |
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数据表 |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RJS6004WDPK-00#T0DIODE ARRAY SIC 600V 10A TO-3P Renesas Electronics Corporation |
750 | - |
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数据表 |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | 1 Pair Common Cathode | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 10A (DC) | 1.8 V @ 10 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 15 ns | 10 µA @ 600 V | 600 V | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-3P |
