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栅极驱动器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 驱动配置 驱动器数量 门类型 电压 - 电源 供应商设备封装 逻辑电压 - VIL, VIH 电流 - 峰值输出(源,吸) 通道类型 输入类型 高侧电压 - 最大值(自举) 安装类型 上升/下降时间(典型值) 认证 工作温度 等级

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IGD515EI

IGD515EI

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
IGD515EI

数据表

SCALE™-1 Module Bulk Not For New Designs Not Verified High-Side or Low-Side 1 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 12V ~ 16V Module 0.9V, 3.8V 15A, 15A Single - - Through Hole 40ns, 40ns - -40°C ~ 85°C (TA) -
2SP0115T2C0-06

2SP0115T2C0-06

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE

Power Integrations

0 -
2SP0115T2C0-06

数据表

SCALE™-2 Module Tray Active Not Verified Half-Bridge 2 IGBT 14.5V ~ 15.5V Module - 8A, 15A Independent - 600 V Surface Mount 5ns, 10ns - -40°C ~ 85°C (TA) -
SID1183K-TL

SID1183K-TL

IC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16B

Power Integrations

0 -
SID1183K-TL

数据表

SCALE™-1 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads Cut Tape (CT) Obsolete Not Verified High-Side or Low-Side 2 IGBT, N-Channel MOSFET 4.75V ~ 5.25V eSOP-R16B 0.5V, 3.3V 8A, 48A Single Inverting - Surface Mount 465ns, 460ns - -40°C ~ 125°C (TJ) -
2SC0106T2A1C-12

2SC0106T2A1C-12

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE

Power Integrations

0 -
2SC0106T2A1C-12

数据表

SCALE™-2+ Module Bulk Active - Half-Bridge 2 IGBT 14.5V ~ 15.5V Module - 6A, 6A Independent Non-Inverting 1200 V Chassis Mount 20ns, 13ns - -40°C ~ 105°C (TA) -
2SC0108T2G0C-17

2SC0108T2G0C-17

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
2SC0108T2G0C-17

数据表

SCALE™-2+ Module Bulk Active - High-Side or Low-Side 2 IGBT 14.5V ~ 15.5V Module - 8A, 8A Independent - 1700 V Chassis Mount 17ns, 15ns - -40°C ~ 85°C (TA) -
2SP0115T2D0-12

2SP0115T2D0-12

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE

Power Integrations

0 -
2SP0115T2D0-12

数据表

SCALE™-2 Module Bulk Active - Half-Bridge 2 IGBT 14.5V ~ 15.5V Module - 15A, 15A Independent - 1200 V Chassis Mount 5ns, 10ns - -40°C ~ 85°C -
IGD616

IGD616

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
IGD616

数据表

SCALE™-1 36-DIP Module, 24 Leads Box Obsolete Not Verified High-Side or Low-Side 1 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 14V ~ 16V Module 0.9V, 3.8V 16A, 16A Single - - Through Hole 100ns, 80ns - -40°C ~ 85°C (TA) -
2SC0435T2H0C-17

2SC0435T2H0C-17

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
2SC0435T2H0C-17

数据表

SCALE™-2+ Module Bulk Active - High-Side or Low-Side 2 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 14.5V ~ 15.5V Module - 35A, 35A Independent - 1700 V Chassis Mount 20ns, 20ns - -40°C ~ 85°C (TA) -
1SP0335D2S1-45

1SP0335D2S1-45

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
1SP0335D2S1-45

数据表

SCALE™-2 Module Bulk Active Not Verified High-Side or Low-Side 1 IGBT 23.5V ~ 26.5V Module - 35A, 35A Single - 4500 V Surface Mount 9ns, 30ns - -40°C ~ 85°C (TA) -
1SP0340D2S0-45

1SP0340D2S0-45

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
1SP0340D2S0-45

数据表

SCALE™-2 Module Bulk Active Not Verified High-Side or Low-Side 1 IGBT 23.5V ~ 26.5V Module - 35A, 35A Single - 4500 V Surface Mount 10ns, 25ns - -40°C ~ 85°C (TA) -
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