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功率驱动模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 类型 配置 电压 电压 - 隔离 等级 认证 安装类型 电流

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 类型 配置 电压 电压 - 隔离 等级 认证 安装类型 电流
MSCSM120DAM11CT3AG

MSCSM120DAM11CT3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

Microchip Technology

4 -
MSCSM120DAM11CT3AG

数据表

- Module Tube Active MOSFET 1 Phase 1.2 kV 4000Vrms - - Chassis Mount 254 A
MSCSM70TAM05TPAG

MSCSM70TAM05TPAG

PM-MOSFET-SIC~-SP6P

Microchip Technology

2 -
MSCSM70TAM05TPAG

数据表

- Module Tube Active MOSFET 3 Phase Inverter 700 V - - - Chassis Mount 273 A
MSCSM120SKM11CT3AG

MSCSM120SKM11CT3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

Microchip Technology

4 -
MSCSM120SKM11CT3AG

数据表

- Module Tube Active MOSFET 1 Phase 1.2 kV 4000Vrms - - Chassis Mount 254 A
APTLGF350A608G

APTLGF350A608G

POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8

Microchip Technology

9,165 -
APTLGF350A608G

数据表

- 6-PowerSIP Module Bulk Obsolete IGBT Half Bridge 600 V 2500Vrms - - Through Hole 430 A
APTLGT400A608G

APTLGT400A608G

POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8

Microchip Technology

4,209 -
APTLGT400A608G

数据表

- 6-PowerSIP Module Bulk Active IGBT Half Bridge 600 V 2500Vrms - - Through Hole 600 A
APTLGL325A1208G

APTLGL325A1208G

POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8

Microchip Technology

8,001 -
APTLGL325A1208G

数据表

- 6-PowerSIP Module Bulk Active IGBT Half Bridge 1.2 kV 2500Vrms - - Through Hole 420 A
APTLGT300A1208G

APTLGT300A1208G

MOD IGBT 1200V 440A LP8

Microchip Technology

8,111 -
APTLGT300A1208G

数据表

- 6-PowerSIP Module Bulk Active IGBT Half Bridge 1.2 kV 2500Vrms - - Through Hole 440 A
MSCSM120XM31CTYZBNMG

MSCSM120XM31CTYZBNMG

PM-MOSFET-SIC-SBD-NHPD

Microchip Technology

7,811 -
MSCSM120XM31CTYZBNMG

数据表

- Module Bulk Active MOSFET 3 Phase 1.2 kV 4000Vrms - - Chassis Mount 80 A
MSCSM70XM19CTYZBNMG

MSCSM70XM19CTYZBNMG

PM-MOSFET-SIC-SBD-NHPD

Microchip Technology

4,709 -
MSCSM70XM19CTYZBNMG

数据表

- Module Bulk Active MOSFET 3 Phase 650 V 4000Vrms - - Chassis Mount 110 A
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