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光电二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 波长 颜色 - 增强 二极管类型 响应度 @ nm 响应时间 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 暗电流(典型值) 光谱范围 有效面积 视角 工作温度 安装类型 等级 认证

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NJL6414R-TE1

NJL6414R-TE1

SENSOR PHOTODIODE 900NM 2SMD

Nisshinbo Micro Devices Inc.

0 -
NJL6414R-TE1

数据表

- 2-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active 900nm - - 0.27 A/W @ 405nm, 0.47 A/W @ 780nm 16ns, 22ns 35 V 500pA - 2.25mm² - -30°C ~ 85°C Surface Mount - -
NJL6407R-TE1

NJL6407R-TE1

SENSOR PHOTODIODE 800NM 2SMD

Nisshinbo Micro Devices Inc.

0 -
NJL6407R-TE1

数据表

- 2-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active 800nm Infrared(NIR)/Blue - 0.47 A/W @ 780nm, 0.42 A/W @ 650nm 9ns 35 V 100pA - 2.16mm² - -30°C ~ 80°C Surface Mount - -
NJL6195R-W-TE1

NJL6195R-W-TE1

SENSOR PHOTODIODE 890NM 2SMD

Nisshinbo Micro Devices Inc.

0 -
NJL6195R-W-TE1

数据表

- 2-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active 890nm - - 0.55 A/W @ 850nm 25ns, 42ns 35 V 1nA - 8.79mm² - -30°C ~ 85°C Surface Mount - -
NJL6401R-3-TE1

NJL6401R-3-TE1

SENSOR PHOTODIODE 800NM 2SMD

Nisshinbo Micro Devices Inc.

0 -
NJL6401R-3-TE1

数据表

- 2-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active 800nm Infrared(NIR)/Blue PIN 0.47 A/W @ 780nm, 0.42 A/W @ 650nm 2ns 35 V 100pA - 0.49mm² - -30°C ~ 85°C Surface Mount - -
NJL6402R-2-TE1

NJL6402R-2-TE1

SENSOR PHOTODIODE 800NM 2SMD

Nisshinbo Micro Devices Inc.

0 -
NJL6402R-2-TE1

数据表

- 2-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active 800nm Infrared(NIR)/Blue PIN 0.47 A/W @ 780nm, 0.42 A/W @ 650nm 2ns 35 V 100pA - 1mm² - -30°C ~ 85°C Surface Mount - -
NJL6195R-TE1

NJL6195R-TE1

SENSOR PHOTODIODE 890NM 2SMD

Nisshinbo Micro Devices Inc.

3,191 -
NJL6195R-TE1

数据表

- 2-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active 890nm - - 0.55 A/W @ 850nm 25ns, 42ns 35 V 1nA - 2.98mm² - -30°C ~ 85°C Surface Mount - -
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