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门电路和反向器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 逻辑类型 电路数量 特性 电压 - 电源 电流 - 静态电流(最大值) 电流 - 输出高、低 输入逻辑电平 - 低 输入数量 输入逻辑电平 - 高 最大传播延迟 @ V,最大负载电容 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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74LS26P-E

74LS26P-E

IC GATE NAND QUAD

Renesas Electronics Corporation

6,000 -
74LS26P-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
D74HV1G08VS#H1

D74HV1G08VS#H1

IC GATE AND 2-INP

Renesas Electronics Corporation

30,000 -
D74HV1G08VS#H1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
74AC08P-E

74AC08P-E

IC GATE AND QUAD 2-INP

Renesas Electronics Corporation

5,000 -
74AC08P-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
74AC08FPEL-E

74AC08FPEL-E

IC GATE AND QUAD 2-INP

Renesas Electronics Corporation

4,000 -
74AC08FPEL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
74HC30TELL-E

74HC30TELL-E

IC GATE NAND 1CH 8-INP

Renesas Electronics Corporation

32,000 -
74HC30TELL-E

数据表

74HC - Bulk Active NAND Gate 1 - 2V ~ 6V 2 µA 5.2mA, 5.2mA 0.5V ~ 1.8V 8 1.5V ~ 4.2V 22ns @ 6V, 50pF - -40°C ~ 125°C - - -
74HC30FPEL-E

74HC30FPEL-E

IC GATE NAND 1CH 8-INP

Renesas Electronics Corporation

10,000 -
74HC30FPEL-E

数据表

74HC - Bulk Active NAND Gate 1 - 2V ~ 6V 2 µA 5.2mA, 5.2mA 0.5V ~ 1.8V 8 1.5V ~ 4.2V 22ns @ 6V, 50pF - -40°C ~ 125°C - - -
74HC30FP-E

74HC30FP-E

IC GATE NAND 1CH 8-INP

Renesas Electronics Corporation

1,900 -
74HC30FP-E

数据表

74HC - Bulk Active NAND Gate 1 - 2V ~ 6V 2 µA 5.2mA, 5.2mA 0.5V ~ 1.8V 8 1.5V ~ 4.2V 22ns @ 6V, 50pF - -40°C ~ 125°C - - -
74HC10FPEL-E

74HC10FPEL-E

IC GATE NAND 3CH 3-INP

Renesas Electronics Corporation

2,000 -
74HC10FPEL-E

数据表

74HC - Bulk Active NAND Gate 3 - 2V ~ 6V 2 µA 5.2mA, 5.2mA 0.5V ~ 1.8V 3 1.5V ~ 4.2V 16ns @ 6V, 50pF - -40°C ~ 125°C - - -
74HC10FPDEL-E

74HC10FPDEL-E

IC GATE NAND 3CH 3-INP

Renesas Electronics Corporation

2,000 -
74HC10FPDEL-E

数据表

74HC - Bulk Active NAND Gate 3 - 2V ~ 6V 2 µA 5.2mA, 5.2mA 0.5V ~ 1.8V 3 1.5V ~ 4.2V 16ns @ 6V, 50pF - -40°C ~ 125°C - - -
74HC10P-E

74HC10P-E

IC GATE NAND 3CH 3-INP

Renesas Electronics Corporation

2,000 -
74HC10P-E

数据表

74HC - Bulk Active NAND Gate 3 - 2V ~ 6V 2 µA 5.2mA, 5.2mA 0.5V ~ 1.8V 3 1.5V ~ 4.2V 16ns @ 6V, 50pF - -40°C ~ 125°C - - -
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