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单个 IGBTs

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	IGBT 类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大值）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic	功率 - 最大值	安装类型	开关能量	输入类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	栅极电荷	导通/关断时间 (Td) @ 25°C	认证	测试条件	供应商设备封装	等级	反向恢复时间 (trr)	工作温度
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Bourns Inc. Diodes Incorporated Diotec Semiconductor Fairchild Semiconductor GeneSiC Semiconductor Harris Corporation Infineon Technologies International Rectifier IXYS Littelfuse Inc. Micro Commercial Co Microchip Technology Microsemi Corporation Motorola Nexperia USA Inc. onsemi Panjit International Inc. Powerex Inc. Qualcomm Renesas ROHM Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanyo Semikron SemiQ STMicroelectronics Toshiba Semiconductor and Storage Watech Electronics WeEn Semiconductors

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厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	IGBT 类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大值）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic	功率 - 最大值	安装类型	开关能量	输入类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	栅极电荷	导通/关断时间 (Td) @ 25°C	认证	测试条件	供应商设备封装	等级	反向恢复时间 (trr)	工作温度
IXBT2N250 IGBT 2500V 5A TO268AA IXYS	404	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Active	-	2500 V	13 A	3.5V @ 15V, 2A	32 W	Surface Mount	-	Standard	5 A	10.6 nC	-	-	-	TO-268AA	-	920 ns	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH42N170 IGBT 1700V 80A TO247AD IXYS	792	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-247-3	Tube	Active	-	1700 V	300 A	2.8V @ 15V, 42A	360 W	Through Hole	-	Standard	80 A	188 nC	-	-	-	TO-247AD	-	1.32 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXYX30N170CV1 IGBT 1700V 108A PLUS247-3 IXYS	1,250	-	询价单	数据表	XPT™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	-	1700 V	255 A	3.7V @ 15V, 30A	937 W	Through Hole	5.9mJ (on), 3.3mJ (off)	Standard	108 A	140 nC	28ns/150ns	-	850V, 30A, 2.7Ohm, 15V	PLUS247™-3	-	160 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)
IXBH20N300 IGBT 3000V 50A TO247AD IXYS	601	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-247-3	Tube	Active	-	3000 V	140 A	3.2V @ 15V, 20A	250 W	Through Hole	-	Standard	50 A	105 nC	-	-	-	TO-247AD	-	1.35 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH12N300 IGBT 3000V 30A 160W TO247 IXYS	150	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-247-3	Tube	Active	-	3000 V	100 A	3.2V @ 15V, 12A	160 W	Through Hole	-	Standard	30 A	62 nC	-	-	-	TO-247AD	-	1.4 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXYN30N170CV1 1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT IXYS	182	-	询价单	数据表	XPT™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Active	-	1700 V	275 A	3.7V @ 15V, 30A	680 W	Chassis Mount	5.9mJ (on), 3.3mJ (off)	Standard	88 A	140 nC	28ns/150ns	-	850V, 30A, 2.7Ohm, 15V	SOT-227B	-	160 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)
IXYK120N120C3 IGBT 1200V 240A 1500W TO264 IXYS	236	-	询价单	数据表	GenX3™, XPT™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	-	1200 V	700 A	3.2V @ 15V, 120A	1500 W	Through Hole	6.75mJ (on), 5.1mJ (off)	Standard	240 A	412 nC	35ns/176ns	-	600V, 100A, 1Ohm, 15V	TO-264 (IXYK)	-	-	-55°C ~ 175°C (TJ)
IXYT25N250CHV IGBT 2500V 95A TO268 IXYS	910	-	询价单	数据表	XPT™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Active	-	2500 V	235 A	4V @ 15V, 25A	937 W	Surface Mount	8.3mJ (on), 7.3mJ (off)	Standard	95 A	147 nC	15ns/230ns	-	1250V, 25A, 5Ohm, 15V	TO-268	-	34 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)
IXYX40N250CHV IGBT 2.5KV 70A TO247HV IXYS	302	-	询价单	数据表	XPT™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	-	2500 V	380 A	4V @ 15V, 40A	1500 W	Through Hole	11.7mJ (on), 6.9mJ (off)	Standard	70 A	270 nC	21ns/200ns	-	1250V, 40A, 1Ohm, 15V	TO-247PLUS-HV	-	-	-55°C ~ 175°C (TJ)
IXBT12N300HV IGBT 3000V 30A TO268HV IXYS	150	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Active	-	3000 V	100 A	3.2V @ 15V, 12A	160 W	Surface Mount	-	Standard	30 A	62 nC	64ns/180ns	-	1250V, 12A, 10Ohm, 15V	TO-268HV (IXBT)	-	1.4 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH42N250 BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A IXYS	144	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-247-3	Tube	Active	-	2500 V	400 A	3V @ 15V, 42A	500 W	Through Hole	-	Standard	104 A	200 nC	72ns/445ns	-	1250V, 42A, 20Ohm, 15V	TO-247AD	-	1.7 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXYX25N250CV1HV IGBT 2500V 95A PLUS247-3 IXYS	293	-	询价单	数据表	XPT™	TO-247-3	Tube	Active	-	2500 V	235 A	4V @ 15V, 25A	937 W	Through Hole	8.3mJ (on), 7.3mJ (off)	Standard	95 A	147 nC	15ns/230ns	-	1250V, 25A, 5Ohm, 15V	PLUS247™-3	-	220 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)
IXYH30N450HV IGBT 4500V 30A TO-247HV IXYS	478	-	询价单	数据表	XPT™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	PT	4500 V	200 A	3.9V @ 15V, 30A	430 W	Through Hole	-	Standard	60 A	88 nC	-	-	960V, 30A, 10Ohm, 15V	TO-247HV	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXYX40N450HV IGBT 4500V 95A TO247PLUS-HV IXYS	207	-	询价单	数据表	XPT™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	-	4500 V	350 A	3.9V @ 15V, 40A	660 W	Through Hole	-	Standard	95 A	170 nC	36ns/110ns	-	960V, 40A, 2Ohm, 15V	TO-247PLUS-HV	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBF20N360 IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK IXYS	435	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	i4-Pac™-5 (3 Leads)	Tube	Active	-	3600 V	220 A	3.4V @ 15V, 20A	230 W	Through Hole	15.5mJ (on), 4.3mJ (off)	Standard	45 A	43 nC	18ns/238ns	-	1500V, 20A, 10Ohm, 15V	ISOPLUS i4-PAC™	-	1.7 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBA14N300HV REVERSE CONDUCTING IGBT IXYS	290	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Active	NPT	3000 V	120 A	2.7V @ 15V, 14A	200 W	Surface Mount	-	Standard	38 A	62 nC	40ns/166ns	-	960V, 14A, 20Ohm, 15V	TO-263	-	1.4 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBK55N300 IGBT 3000V 130A 625W TO264 IXYS	819	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	-	3000 V	600 A	3.2V @ 15V, 55A	625 W	Through Hole	-	Standard	130 A	335 nC	-	-	-	TO-264AA	-	1.9 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH20N360HV IGBT 3600V 70A TO247HV IXYS	821	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	-	3600 V	220 A	3.4V @ 15V, 20A	430 W	Through Hole	15.5mJ (on), 4.3mJ (off)	Standard	70 A	110 nC	18ns/238ns	-	1500V, 20A, 10Ohm, 15V	TO-247HV	-	1.7 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGK75N250 IGBT NPT 2500V 170A TO264 IXYS	789	-	询价单	数据表	-	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	NPT	2500 V	530 A	3.6V @ 15V, 150A	780 W	Through Hole	-	Standard	170 A	410 nC	-	-	-	TO-264 (IXGK)	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXEL40N400 IGBT 4000V 90A ISOPLUSI5 IXYS	54	-	询价单	数据表	-	ISOPLUSi5-PAK™	Tube	Active	-	4000 V	400 A	3.2V @ 15V, 40A	380 W	Through Hole	55mJ (on), 165mJ (off)	Standard	90 A	275 nC	160ns/630ns	-	2800V, 40A, 33Ohm, 15V	ISOPLUSi5-Pak™	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)

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