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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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IXGH72N60B3

IXGH72N60B3

IGBT 600V 75A 540W TO247

IXYS

6,080 -
IXGH72N60B3

数据表

GenX3™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 400 A 1.8V @ 15V, 60A 540 W Through Hole 1.38mJ (on), 1.05mJ (off) Standard 75 A 230 nC 31ns/150ns - 480V, 50A, 3Ohm, 15V TO-247AD - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXYA50N65C3

IXYA50N65C3

IGBT 650V 130A 600W TO263

IXYS

8,520 -
IXYA50N65C3

数据表

GenX3™, XPT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active PT 650 V 250 A 2.1V @ 15V, 36A 600 W Surface Mount 1.3mJ (on), 370µJ (off) Standard 130 A 80 nC 22ns/80ns - 400V, 36A, 5Ohm, 15V TO-263AA - - -55°C ~ 175°C (TJ)
IXDH20N120

IXDH20N120

IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

IXYS

2,395 -
IXDH20N120

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 50 A 3V @ 15V, 20A 200 W Through Hole 3.1mJ (on), 2.4mJ (off) Standard 38 A 70 nC - - 600V, 20A, 82Ohm, 15V TO-247AD - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXXH30N65B4D1

IXXH30N65B4D1

IGBT 650V 70A TO247AD

IXYS

7,741 -
IXXH30N65B4D1

数据表

XPT™, GenX4™ TO-247-3 Tube Obsolete - 650 V 146 A 2.1V @ 15V, 30A 230 W Through Hole 1.04mJ (on), 730µJ (off) Standard 70 A 52 nC 20ns/150ns - 400V, 30A, 15Ohm, 15V TO-247AD (IXXH) - 65 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXGH36N60B3D1

IXGH36N60B3D1

IGBT 600V 250W TO247AD

IXYS

5,094 -
IXGH36N60B3D1

数据表

GenX3™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 200 A 1.8V @ 15V, 30A 250 W Through Hole 540µJ (on), 800µJ (off) Standard - 80 nC 19ns/125ns - 400V, 30A, 5Ohm, 15V TO-247AD - 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGH36N60B3D4

IXGH36N60B3D4

IGBT 600V 250W TO247

IXYS

8,247 -
IXGH36N60B3D4

数据表

GenX3™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 200 A 1.8V @ 15V, 30A 250 W Through Hole 540µJ (on), 800µJ (off) Standard - 80 nC 19ns/125ns - 400V, 30A, 5Ohm, 15V TO-247AD - 60 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXYH20N65C3D1

IXYH20N65C3D1

DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD

IXYS

2,949 -
IXYH20N65C3D1

数据表

XPT™, GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 650 V 105 A 2.5V @ 15V, 20A 230 W Through Hole 430µJ (on), 350µJ (off) Standard 50 A 30 nC 19ns/80ns - 400V, 20A, 20Ohm, 15V TO-247 (IXYH) - 34 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXYH40N90C3

IXYH40N90C3

IGBT 900V 105A 600W TO247

IXYS

6,639 -
IXYH40N90C3

数据表

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active - 900 V 200 A 2.5V @ 15V, 40A 600 W Through Hole 1.9mJ (on), 1mJ (off) Standard 105 A 74 nC 27ns/78ns - 450V, 40A, 5Ohm, 15V TO-247 (IXTH) - - -55°C ~ 175°C (TJ)
IXYH30N120B4

IXYH30N120B4

DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD

IXYS

6,302 -
IXYH30N120B4

数据表

XPT™, GenX4™ TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 174 A 2.1V @ 15V, 25A 500 W Through Hole 4.4mJ (on), 2.6mJ (off) Standard 100 A 58 nC 20ns/245ns - 960V, 25A, 5Ohm, 15V TO-247 (IXYH) - 60 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXBF9N160G

IXBF9N160G

IGBT 1600V 7A 70W I4PAC

IXYS

3,078 -
IXBF9N160G

数据表

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 1600 V - 7V @ 15V, 5A 70 W Through Hole - Standard 7 A 34 nC - - 960V, 5A, 27Ohm, 10V ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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