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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度
FGH50N6S2

FGH50N6S2

N-CHANNEL IGBT

Fairchild Semiconductor

1,350 -
FGH50N6S2

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 240 A 2.7V @ 15V, 30A 463 W Through Hole 260µJ (on), 250µJ (off) Standard 75 A 70 nC 13ns/55ns - 390V, 30A, 3Ohm, 15V TO-247 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
FGL35N120FTDTU

FGL35N120FTDTU

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

15,428 -
FGL35N120FTDTU

数据表

- TO-264-3, TO-264AA Bulk Active Trench Field Stop 1200 V 105 A 2.2V @ 15V, 35A 368 W Through Hole 2.5mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 70 A 210 nC 34ns/172ns - 600V, 35A, 10Ohm, 15V HPM F2 - 337 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

IGBT 600V 63A TO247

Fairchild Semiconductor

7,113 -
HGTG30N60C3D

数据表

- TO-247-3 Bulk Active - 600 V 252 A 1.8V @ 15V, 30A 208 W Through Hole 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) Standard 63 A 162 nC - - - TO-247 - 60 ns -40°C ~ 150°C (TJ)
SGL40N150TU

SGL40N150TU

N-CHANNEL IGBT

Fairchild Semiconductor

459 -
SGL40N150TU

数据表

- TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete - 1500 V 120 A 4.7V @ 15V, 40A 200 W Through Hole - Standard 40 A 140 nC - - - HPM F2 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
FGH50N6S2D

FGH50N6S2D

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

2,375 -
FGH50N6S2D

数据表

- TO-247-3 Bulk Active - 600 V 240 A 2.7V @ 15V, 30A 463 W Through Hole 260µJ (on), 250µJ (off) Standard 75 A 70 nC 13ns/55ns - 390V, 30A, 3Ohm, 15V TO-247 - 55 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
SGL40N150DTU

SGL40N150DTU

N-CHANNEL IGBT

Fairchild Semiconductor

1,042 -
SGL40N150DTU

数据表

- TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete - 1500 V 120 A 4.7V @ 15V, 40A 200 W Through Hole - Standard 40 A 140 nC - - - HPM F2 - 300 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
FGP5N60LS

FGP5N60LS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

19,247 -
FGP5N60LS

数据表

- TO-220-3 Bulk Active Field Stop 600 V 36 A 3.2V @ 12V, 14A 83 W Through Hole 38µJ (on), 130µJ (off) Standard 10 A 18.3 nC 4.3ns/36ns - 400V, 5A, 10Ohm, 15V TO-220-3 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
FGPF4536

FGPF4536

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

88,700 -
FGPF4536

数据表

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench 360 V 220 A 1.8V @ 15V, 50A 28.4 W Through Hole - Standard - 47 nC - - - TO-220F-3 - - -
FGPF70N30TDTU

FGPF70N30TDTU

IGBT TRENCH 300V 70A TO220F

Fairchild Semiconductor

4,534 -
FGPF70N30TDTU

数据表

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench 300 V 160 A 1.5V @ 15V, 20A 49.2 W Through Hole - Standard 70 A 125 nC 32ns/175ns - 200V, 40A, 15Ohm, 15V TO-220F - 21 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

6,021 -
ISL9V2040D3ST

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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