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    首页 > 产品  > 分立半导体产品 > 晶体管 > 绝缘栅双极型晶体管（IGBTs） > 单个 IGBTs

    单个 IGBTs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿（最大值） 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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    IRGS4056DPBF

    IRGS4056DPBF

    IGBT 600V 24A 140W D2PAK

    Infineon Technologies

    		 8,043 -
    询价单
    		IRGS4056DPBF

    数据表

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete Trench 600 V 48 A 1.85V @ 15V, 12A 140 W Surface Mount 75µJ (on), 225µJ (off) Standard 24 A 25 nC 31ns/83ns - 400V, 12A, 22Ohm, 15V D2PAK - 68 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
    IRGS4062DPBF

    IRGS4062DPBF

    IGBT 600V 48A 250W D2PAK

    Infineon Technologies

    		 5,878 -
    询价单
    		IRGS4062DPBF

    数据表

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete Trench 600 V 96 A 1.95V @ 15V, 24A 250 W Surface Mount 115µJ (on), 600µJ (off) Standard 48 A 50 nC 41ns/104ns - 400V, 24A, 10Ohm, 15V D2PAK - 89 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
    FGH75N60UFTU

    FGH75N60UFTU

    IGBT 600V 150A 452W TO247

    onsemi

    		 3,262 -
    询价单
    		FGH75N60UFTU

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Obsolete Field Stop 600 V 225 A 2.4V @ 15V, 75A 452 W Through Hole 3.05mJ (on), 1.35mJ (off) Standard 150 A 250 nC 27ns/128ns - 400V, 75A, 3Ohm, 15V TO-247-3 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXGA24N120C3

    IXGA24N120C3

    IGBT 1200V 48A 250W TO263

    IXYS

    		 4,676 -
    询价单
    		IXGA24N120C3

    数据表

         		GenX3™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active PT 1200 V 96 A 4.2V @ 15V, 20A 250 W Surface Mount 1.16mJ (on), 470µJ (off) Standard 48 A 79 nC 16ns/93ns - 600V, 20A, 5Ohm, 15V TO-263AA - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    FGA50N100BNTD2

    FGA50N100BNTD2

    IGBT 1000V 50A 156W TO3P

    onsemi

    		 3,594 -
    询价单
    		FGA50N100BNTD2

    数据表

         		- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete NPT and Trench 1000 V 200 A 2.9V @ 15V, 60A 156 W Through Hole - Standard 50 A 257 nC 34ns/243ns - 600V, 60A, 10Ohm, 15V TO-3P - 75 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    FGA50N100BNTTU

    FGA50N100BNTTU

    IGBT 1000V 50A 156W TO3P

    onsemi

    		 9,942 -
    询价单
    		FGA50N100BNTTU

    数据表

         		- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete NPT and Trench 1000 V 200 A 2.9V @ 15V, 60A 156 W Through Hole - Standard 50 A 257 nC 34ns/243ns - 600V, 60A, 10Ohm, 15V TO-3P - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    FGA60N60UFDTU

    FGA60N60UFDTU

    IGBT 600V 120A 298W TO3P

    onsemi

    		 4,927 -
    询价单
    		FGA60N60UFDTU

    数据表

         		- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete Field Stop 600 V 180 A 2.4V @ 15V, 60A 298 W Through Hole 1.81mJ (on), 810µJ (off) Standard 120 A 188 nC 23ns/130ns - 400V, 60A, 5Ohm, 15V TO-3PN - 47 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    FGH40N65UFDTU

    FGH40N65UFDTU

    IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3

    onsemi

    		 8,813 -
    询价单
    		FGH40N65UFDTU

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Obsolete Field Stop 650 V 120 A 2.4V @ 15V, 40A 290 W Through Hole 1.19mJ (on), 460µJ (off) Standard 80 A 120 nC 24ns/112ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247-3 - 45 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    GT10G131(TE12L,Q)

    GT10G131(TE12L,Q)

    IGBT 400V 1W 8-SOIC

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 3,282 -
    询价单
    		GT10G131(TE12L,Q)

    数据表

         		- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete - 400 V 200 A 2.3V @ 4V, 200A 1 W Surface Mount - Standard - - 3.1µs/2µs - - 8-SOP (5.5x6.0) - - 150°C (TJ)
    GT10J312(Q)

    GT10J312(Q)

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 3,973 -
    询价单
    		GT10J312(Q)

    数据表

         		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete - 600 V 20 A 2.7V @ 15V, 10A 60 W Through Hole - Standard 10 A - 400ns/400ns - 300V, 10A, 100Ohm, 15V - - 200 ns 150°C (TJ)
    GT60N321(Q)

    GT60N321(Q)

    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 8,017 -
    询价单
    		GT60N321(Q)

    数据表

         		- TO-3PL Tube Obsolete - 1000 V 120 A 2.8V @ 15V, 60A 170 W Through Hole - Standard 60 A - 330ns/700ns - - TO-3P(LH) - 2.5 µs 150°C (TJ)
    GT8G133(TE12L,Q)

    GT8G133(TE12L,Q)

    IGBT 400V 600MW 8TSSOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 2,169 -
    询价单
    		GT8G133(TE12L,Q)

    数据表

         		- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete - 400 V 150 A 2.9V @ 4V, 150A 600 mW Surface Mount - Standard - - 1.7µs/2µs - - 8-TSSOP - - 150°C (TJ)
    GT50J121(Q)

    GT50J121(Q)

    IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 8,794 -
    询价单
    		GT50J121(Q)

    数据表

         		- TO-3PL Tube Obsolete - 600 V 100 A 2.45V @ 15V, 50A 240 W Through Hole 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) Standard 50 A - 90ns/300ns - 300V, 50A, 13Ohm, 15V TO-3P(LH) - - 150°C (TJ)
    IRG4PC50FD-EPBF

    IRG4PC50FD-EPBF

    IGBT 600V 70A 200W TO247AD

    Infineon Technologies

    		 3,461 -
    询价单
    		IRG4PC50FD-EPBF

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 280 A 1.6V @ 15V, 39A 200 W Through Hole 1.5mJ (on), 2.4mJ (off) Standard 70 A 190 nC 55ns/240ns - 480V, 39A, 5Ohm, 15V TO-247AC - 50 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    IRG4PH50S-EPBF

    IRG4PH50S-EPBF

    IGBT 1200V 57A TO247AD

    Infineon Technologies

    		 4,927 -
    询价单
    		IRG4PH50S-EPBF

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Obsolete - 1200 V 114 A 1.7V @ 15V, 33A 200 W Through Hole 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Standard 57 A 167 nC 32ns/845ns - 960V, 33A, 5Ohm, 15V TO-247AD - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IRG6I320UPBF

    IRG6I320UPBF

    IGBT 330V 24A 39W TO220ABFP

    Infineon Technologies

    		 4,252 -
    询价单
    		IRG6I320UPBF

    数据表

         		- TO-220-3 Tube Obsolete Trench 330 V - 1.65V @ 15V, 24A 39 W Through Hole - Standard 24 A 46 nC 24ns/89ns - 196V, 12A, 10Ohm TO-220AB - - -40°C ~ 150°C (TJ)
    IRG6I330UPBF

    IRG6I330UPBF

    IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

    Infineon Technologies

    		 4,480 -
    询价单
    		IRG6I330UPBF

    数据表

         		- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete Trench 330 V - 1.55V @ 15V, 28A 43 W Through Hole - Standard 28 A 86 nC 39ns/120ns - 196V, 25A, 10Ohm TO-220AB Full-Pak - - -40°C ~ 150°C (TJ)
    IRG7PH42UD-EP

    IRG7PH42UD-EP

    IGBT 1200V 85A 320W TO247AD

    Infineon Technologies

    		 7,646 -
    询价单
    		IRG7PH42UD-EP

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Obsolete Trench 1200 V 90 A 2V @ 15V, 30A 320 W Through Hole 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) Standard 85 A 157 nC 25ns/229ns - 600V, 30A, 10Ohm, 15V TO-247AD - 153 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    IRG7PH42UDPBF

    IRG7PH42UDPBF

    IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC

    Infineon Technologies

    		 6,787 -
    询价单
    		IRG7PH42UDPBF

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Obsolete Trench 1200 V 90 A 2V @ 15V, 30A 320 W Through Hole 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) Standard 85 A 157 nC 25ns/229ns - 600V, 30A, 10Ohm, 15V TO-247AC - 153 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    IRG7PH42UPBF

    IRG7PH42UPBF

    IGBT 1200V 90A 385W TO247AC

    Infineon Technologies

    		 8,998 -
    询价单
    		IRG7PH42UPBF

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Obsolete Trench 1200 V 90 A 2V @ 15V, 30A 385 W Through Hole 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) Standard 90 A 157 nC 25ns/229ns - 600V, 30A, 10Ohm, 15V TO-247AC - - -55°C ~ 175°C (TJ)
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