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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度
SIGC18T60NCX1SA1

SIGC18T60NCX1SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

5,281 -
SIGC18T60NCX1SA1

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 60 A 2.5V @ 15V, 20A - Surface Mount - Standard 20 A - 21ns/110ns - 300V, 20A, 13Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
SIGC25T60SNCX7SA1

SIGC25T60SNCX7SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

7,340 -
SIGC25T60SNCX7SA1

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 90 A 2.5V @ 15V, 30A - Surface Mount - Standard 30 A - 44ns/324ns - 400V, 30A, 11Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
SIGC42T60UNX1SA2

SIGC42T60UNX1SA2

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

2,861 -
SIGC42T60UNX1SA2

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 150 A 3.15V @ 15V, 50A - Surface Mount - Standard 50 A - 48ns/350ns - 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
SIGC18T60SNCX7SA1

SIGC18T60SNCX7SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

6,284 -
SIGC18T60SNCX7SA1

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 60 A 2.5V @ 15V, 20A - Surface Mount - Standard 20 A - 36ns/250ns - 400V, 20A, 16Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
SIGC61T60NCX1SA1

SIGC61T60NCX1SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

4,836 -
SIGC61T60NCX1SA1

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 225 A 2.5V @ 15V, 75A - Surface Mount - Standard 75 A - 65ns/170ns - 300V, 75A, 3Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
SIGC18T60UNX1SA1

SIGC18T60UNX1SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

3,331 -
SIGC18T60UNX1SA1

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 60 A 3.15V @ 15V, 20A - Surface Mount - Standard 20 A - 15ns/65ns - 400V, 20A, 2.2Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
SIGC18T60UNX1SA2

SIGC18T60UNX1SA2

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

8,148 -
SIGC18T60UNX1SA2

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 60 A 3.15V @ 15V, 20A - Surface Mount - Standard 20 A - 15ns/65ns - 400V, 20A, 2.2Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
SIGC25T60UNX7SA2

SIGC25T60UNX7SA2

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

4,747 -
SIGC25T60UNX7SA2

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 90 A 3.15V @ 15V, 30A - Surface Mount - Standard 30 A - 16ns/122ns - 400V, 30A, 1.8Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
SIGC81T60NCX7SA1

SIGC81T60NCX7SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

5,289 -
SIGC81T60NCX7SA1

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 300 A 2.5V @ 15V, 100A - Surface Mount - Standard 100 A - 95ns/200ns - 300V, 100A, 2.2Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
SIGC25T60NCX1SA7

SIGC25T60NCX1SA7

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies

2,206 -
SIGC25T60NCX1SA7

数据表

- Die Bulk Obsolete NPT 600 V 90 A 2.5V @ 15V, 30A - Surface Mount - Standard 30 A - 21ns/110ns - 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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