| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | IGBT 类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic | 功率 - 最大值 | 安装类型 | 开关能量 | 输入类型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 栅极电荷 | 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | 认证 | 测试条件 | 供应商设备封装 | 等级 | 反向恢复时间 (trr) | 工作温度 |
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GA35XCP12-247IGBT 1200V SOT247 GeneSiC Semiconductor |
8,846 | - |
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数据表 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | PT | 1200 V | 35 A | 3V @ 15V, 35A | - | Through Hole | 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) | Standard | - | 50 nC | - | - | 800V, 35A, 22Ohm, 15V | TO-247AB | - | 36 ns | -40°C ~ 150°C (TJ) |