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IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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APTGT75A170D1G

APTGT75A170D1G

IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1

Microsemi Corporation

2,732 -
APTGT75A170D1G

数据表

- D1 Bulk Obsolete Trench Field Stop Half Bridge 120 A 520 W 2.4V @ 15V, 75A 5 mA 6.5 nF @ 25 V 1700 V Standard No - Chassis Mount D1
APTGT75SK170D1G

APTGT75SK170D1G

IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1

Microsemi Corporation

5,043 -
APTGT75SK170D1G

数据表

- D1 Bulk Obsolete Trench Field Stop Single 120 A 520 W 2.4V @ 15V, 75A 5 mA 6.5 nF @ 25 V 1700 V Standard No - Chassis Mount D1
APTCV90TL12T3G

APTCV90TL12T3G

IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3

Microsemi Corporation

2,254 -
APTCV90TL12T3G

数据表

- SP3 Bulk Obsolete Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 80 A 280 W 2.2V @ 15V, 50A 1 mA 2.77 nF @ 25 V 1200 V Standard Yes -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount SP3
APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G

IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2

Microsemi Corporation

5,500 -
APTGFQ25H120T2G

数据表

- SP2 Bulk Active NPT and Fieldstop Full Bridge 40 A 227 W 2.1V @ 15V, 25A 250 µA 2.02 nF @ 25 V 1200 V Standard Yes - Through Hole SP2
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