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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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PD57070S

PD57070S

RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10

STMicroelectronics

8,019 -
PD57070S

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 14.7dB 28 V 7A - 250 mA 945MHz 70W 65 V - 10-PowerSO - -
PD85025C

PD85025C

RF MOSFET LDMOS 13.6V M243

STMicroelectronics

5,247 -
PD85025C

数据表

- M243 Box Obsolete LDMOS - 17.5dB 13.6 V 7A - 300 mA 945MHz 10W 40 V - M243 - -
SD57030

SD57030

RF MOSFET LDMOS 28V M243

STMicroelectronics

5,024 -
SD57030

数据表

- M243 Box Active LDMOS - 15dB 28 V 4A - 50 mA 945MHz 30W 65 V - M243 - -
LET9045C

LET9045C

RF MOSFET LDMOS 28V M243

STMicroelectronics

3,481 -
LET9045C

数据表

- M243 Tray Obsolete LDMOS - 17.7dB 28 V 9A - 300 mA 960MHz 59W 80 V - M243 - -
LET9045F

LET9045F

RF MOSFET LDMOS 28V M250

STMicroelectronics

8,332 -
LET9045F

数据表

- M250 Tray Obsolete LDMOS - 17.7dB 28 V 9A - 300 mA 960MHz 59W 80 V - M250 - -
RF5L15030CB2

RF5L15030CB2

RF MOSFET LDMOS 50V GXB

STMicroelectronics

9,970 -
RF5L15030CB2

数据表

- GXB Bulk Active LDMOS - 23.5dB 50 V 1µA - 200 mA 1.5GHz 30W 110 V - GXB - Chassis Mount
ST16045

ST16045

RF MOSFET LDMOS A2

STMicroelectronics

9,454 -
ST16045

数据表

- 2L-FLG Bulk Obsolete LDMOS - 20dB - 1µA - - 700MHz ~ 1.7GHz 45W 65 V - A2 - Surface Mount
PD57045TR-E

PD57045TR-E

RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF

STMicroelectronics

4,331 -
PD57045TR-E

数据表

- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 14.5dB 28 V 5A - 250 mA 945MHz 45W 65 V - PowerSO-10RF (Formed Lead) - -
SD4931

SD4931

RF MOSFET 50V M174

STMicroelectronics

3,586 -
SD4931

数据表

- M174 Tray Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 14.8dB 50 V 20A - 250 mA 175MHz 150W 200 V - M174 - -
SD2931-14

SD2931-14

RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174

STMicroelectronics

3,539 -
SD2931-14

数据表

- SOT-123A Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 15dB 50 V 50µA - 250 mA 175MHz 150W 125 V - M174 - Chassis Mount
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