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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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BLF189XRBU

BLF189XRBU

RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A

Ampleon USA Inc.

9,549 -
BLF189XRBU

数据表

- SOT-539A Tray Active LDMOS - 26dB 50 V 2.8µA - 200 mA 108MHz 1900W 135 V - SOT539A - Chassis Mount
BLA9H0912LS-700GU

BLA9H0912LS-700GU

RF MOSFET LDMOS 50V CDFM2

Ampleon USA Inc.

62 -
BLA9H0912LS-700GU

数据表

- SOT-502E Tray Active LDMOS - 20dB 50 V 2.8µA - 100 mA 960MHz ~ 1.215GHz 700W 106 V - CDFM2 - Chassis Mount
BLA9H0912L-1200PU

BLA9H0912L-1200PU

RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A

Ampleon USA Inc.

62 -
BLA9H0912L-1200PU

数据表

- SOT-539A Tray Active LDMOS - 19dB 50 V 2.8µA - 75 mA 960MHz ~ 1.215GHz 1200W 106 V - SOT539A - Chassis Mount
BLP9LA25SGZ

BLP9LA25SGZ

RF MOSFET LDMOS SOT1483-1

Ampleon USA Inc.

167 -
BLP9LA25SGZ

数据表

BLP SOT-1483-1 Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 18.4dB - - - - 1MHz ~ 941MHz 25W 13.6 V - SOT1483-1 - Surface Mount
B10G3741N55DZ

B10G3741N55DZ

RF MOSFET LDMOS 20QFN

Ampleon USA Inc.

633 -
B10G3741N55DZ

数据表

- 20-QFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 34.8dB - 1.4µA - - 3.7GHz ~ 4.1GHz 47.6dBm 65 V - 20-PQFN (8x8) - Surface Mount
BLP15H9S10Z

BLP15H9S10Z

RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1

Ampleon USA Inc.

232 -
BLP15H9S10Z

数据表

BLP SOT-1482-1 Tape & Reel (TR) Active LDMOS Dual, Common Source 22dB 50 V 1.4µA - 60 mA 1.4GHz 10W 104 V - SOT-1482-1 - Surface Mount
BLP0427M9S20GZ

BLP0427M9S20GZ

RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1

Ampleon USA Inc.

798 -
BLP0427M9S20GZ

数据表

- SOT-1483-1 Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 19dB 28 V 1.4µA - 100 mA 400MHz ~ 2.7GHz 20W 65 V - SOT1483-1 - Surface Mount
BLP15M9S70Z

BLP15M9S70Z

RF MOSFET LDMOS 32V SOT1482-1

Ampleon USA Inc.

862 -
BLP15M9S70Z

数据表

- SOT-1482-1 Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 17.8dB 32 V 2.8µA - 300 mA 1.5GHz 70W 65 V - SOT-1482-1 - Surface Mount
B10G2327N55DZ

B10G2327N55DZ

RF MOSFET LDMOS 32V 20QFN

Ampleon USA Inc.

395 -
B10G2327N55DZ

数据表

- 20-QFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 30dB 32 V 1.4µA - 49 mA 2.3GHz ~ 2.7GHz - 65 V - 20-PQFN (8x8) - Surface Mount
B11G1822N60DYZ

B11G1822N60DYZ

RF MOSFET LDMOS 36QFN

Ampleon USA Inc.

352 -
B11G1822N60DYZ

数据表

- 36-QFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active LDMOS Dual 32dB - 1.4µA - - 1.8GHz ~ 2.2GHz - 65 V - 36-PQFN (12x7) - Surface Mount
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