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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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BLS9G2934LS-400

BLS9G2934LS-400

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B

Ampleon USA Inc.

6,500 -
BLS9G2934LS-400

数据表

- SOT-502B Tray Active LDMOS - 11dB 32 V 4µA - 400 mA 2.9GHz ~ 3.4GHz 400W 65 V - SOT502B - Chassis Mount
BLC9G20LS-160PV

BLC9G20LS-160PV

RF MOSFET LDMOS 28V DFM6

Ampleon USA Inc.

4,477 -
BLC9G20LS-160PV

数据表

- SOT-1275-1 Tray Active LDMOS Dual, Common Source 19.8dB 28 V 1.4µA - 860 mA 1.805GHz ~ 2GHz 160W 65 V - DFM6 - Chassis Mount
BLC8G27LS-60AVH

BLC8G27LS-60AVH

RF MOSFET LDMOS 28V DFM6

Ampleon USA Inc.

8,884 -
BLC8G27LS-60AVH

数据表

- SOT-1275-1 Bulk Obsolete LDMOS Dual, Common Source 15dB 28 V 1.2µA - 240 mA 2.3GHz ~ 2.69GHz 60W 65 V - DFM6 - Chassis Mount
B11G2327N70DX

B11G2327N70DX

RF MOSFET LDMOS 36QFN

Ampleon USA Inc.

4,286 -
B11G2327N70DX

数据表

- 36-QFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS (Dual) - 30.3dB - - - - 2.3GHz ~ 2.7GHz - 65 V - 36-PQFN (12x7) - Surface Mount
B11G3338N80DX

B11G3338N80DX

RF MOSFET LDMOS 36QFN

Ampleon USA Inc.

5,359 -
B11G3338N80DX

数据表

- 36-QFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 38dB - 1.4µA - - 3.3GHz ~ 3.8GHz - 65 V - 36-PQFN (12x7) - Surface Mount
BLM7G1822S-20PBGYZ

BLM7G1822S-20PBGYZ

RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121

Ampleon USA Inc.

8,003 -
BLM7G1822S-20PBGYZ

数据表

- SOT-1212-3 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS (Dual) - 32.3dB 28 V 1.4µA - 76 mA 1.805GHz ~ 2.17GHz - 65 V - 16-HSOP - Surface Mount
BLM8G0710S-30PBYZ

BLM8G0710S-30PBYZ

RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112

Ampleon USA Inc.

8,969 -
BLM8G0710S-30PBYZ

数据表

- SOT-1211-3 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS (Dual) - 35.7dB 28 V 1.4µA - 120 mA 700MHz ~ 1GHz 3W 65 V - 16-HSOPF - Surface Mount
B10H0710N40DX

B10H0710N40DX

RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112

Ampleon USA Inc.

2,835 -
B10H0710N40DX

数据表

- 34-TLGA Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 35dB 48 V 1.4µA - 72 mA 700MHz ~ 1GHz - 110 V - 34-LGA (12x8) - Surface Mount
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