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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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MRF8S9202NR3

MRF8S9202NR3

RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2

NXP USA Inc.

8,292 -
MRF8S9202NR3

数据表

- OM-780-2 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 19dB 28 V - - 1.3 A 920MHz 58W 70 V - OM-780-2 - Surface Mount
MRFE6VP5600HSR6

MRFE6VP5600HSR6

RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

NXP USA Inc.

9,569 -
MRFE6VP5600HSR6

数据表

- NI-1230-4S Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key LDMOS Dual 25dB 50 V - - 100 mA 230MHz 600W 130 V - NI-1230-4S - Chassis Mount
MRF8S21100HSR3

MRF8S21100HSR3

RF MOSFET LDMOS 28V NI780

NXP USA Inc.

9,648 -
MRF8S21100HSR3

数据表

- NI-780S Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 18.3dB 28 V - - 700 mA 2.17GHz 24W 65 V - NI-780S - Chassis Mount
BLP7G07S-140P,118

BLP7G07S-140P,118

RF MOSFET LDMOS 28V 4HSOPF

NXP USA Inc.

2,836 -
BLP7G07S-140P,118

数据表

- SOT-1223-1 Tape & Reel (TR) Active LDMOS Dual 20.6dB 28 V - - - 700MHz ~ 1GHz 35W 65 V - 4-HSOPF - Surface Mount
BLP7G22-10,135

BLP7G22-10,135

RF MOSFET LDMOS 28V 12HVSON

NXP USA Inc.

8,787 -
BLP7G22-10,135

数据表

- 12-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 27dB 28 V - - 110 mA 700MHz ~ 2.2GHz 2W 65 V - 12-HVSON (4x6) - Surface Mount
MRF8P9210NR3

MRF8P9210NR3

RF MOSFET 28V NI780

NXP USA Inc.

9,925 -
MRF8P9210NR3

数据表

- NI-780-4 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 16.8dB 28 V - - 750 mA 960MHz 63W 70 V - NI-780-4 - -
MRF6VP121KHSR5

MRF6VP121KHSR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

NXP USA Inc.

8,830 -
MRF6VP121KHSR5

数据表

- NI-1230S Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual 20dB 50 V - - 150 mA 1.03GHz 1000W 110 V - NI-1230S - -
MRF6VP3091NBR5

MRF6VP3091NBR5

RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4

NXP USA Inc.

4,375 -
MRF6VP3091NBR5

数据表

- TO-272BB Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual 22dB 50 V - - 350 mA 860MHz 18W 115 V - TO-272 WB-4 - Chassis Mount
MRF6VP3091NR5

MRF6VP3091NR5

RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4

NXP USA Inc.

9,386 -
MRF6VP3091NR5

数据表

- TO-272BB Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual 22dB 50 V - - 350 mA 860MHz 18W 115 V - TO-272 WB-4 - Chassis Mount
MRF8P23160WHSR3

MRF8P23160WHSR3

RF MOSFET 28V NI780

NXP USA Inc.

7,807 -
MRF8P23160WHSR3

数据表

- NI-780-4 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 14.1dB 28 V - - 600 mA 2.32GHz 30W 65 V - NI-780-4 - -
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