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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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A3G23H500W17SR3

A3G23H500W17SR3

RF MOSFET GAN 48V NI780

NXP USA Inc.

9,279 -
A3G23H500W17SR3

数据表

- NI-780-4S2S Tape & Reel (TR) Obsolete GaN 2 N-Channel 14.3dB 48 V - - 300 mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 80W 125 V - NI-780-4S2S - Chassis Mount
A5G19H605W19NR3

A5G19H605W19NR3

A5G19H605W19NR3

NXP USA Inc.

4,675 -
A5G19H605W19NR3

数据表

- OM-780-4S4S Bulk Active GaN - 15.1dB 48 V - - 300 mA 1.93GHz ~ 1.995GHz 85W 125 V - OM-780-4S4S - Surface Mount
A5G21H605W19NR3

A5G21H605W19NR3

RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4

NXP USA Inc.

4,959 -
A5G21H605W19NR3

数据表

- OM-780-4S4S Tape & Reel (TR) Active GaN - 15.1dB 48 V - - 300 mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 85W 125 V - OM-780-4S4S - Surface Mount
MRFE6VP6300HSR5

MRFE6VP6300HSR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI780

NXP USA Inc.

2,698 -
MRFE6VP6300HSR5

数据表

- NI-780S-4L Tape & Reel (TR) Active LDMOS Dual 26.5dB 50 V - - 100 mA 230MHz 300W 130 V - NI-780S-4L - Surface Mount
MRFE6VP6300GSR5

MRFE6VP6300GSR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI780

NXP USA Inc.

8,470 -
MRFE6VP6300GSR5

数据表

- NI-780GS-4L Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 25dB - - - - 600MHz 300W 50 V - NI-780GS-4L - Chassis Mount
A5G26H605W19NR3

A5G26H605W19NR3

A5G26H605W19NR3

NXP USA Inc.

5,885 -
A5G26H605W19NR3

数据表

- OM-780-4S4S Bulk Active GaN - 14.2dB 48 V - - 300 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 85W 125 V - OM-780-4S4S - Surface Mount
MMRF5016HSR5

MMRF5016HSR5

RF MOSFET HEMT NI400

NXP USA Inc.

2,646 -
MMRF5016HSR5

数据表

- NI-400S-2S Tape & Reel (TR) Obsolete HEMT - - - - - - 1.8GHz ~ 2.2GHz 32W 48 V - NI-400S-2S - Surface Mount
MRF6V2300NBR1

MRF6V2300NBR1

RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4

NXP USA Inc.

5,952 -
MRF6V2300NBR1

数据表

- TO-272BB Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 25.5dB 50 V - - 900 mA 220MHz 300W 110 V - TO-272 WB-4 - Chassis Mount
MRF6V2300NBR5

MRF6V2300NBR5

RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4

NXP USA Inc.

7,025 -
MRF6V2300NBR5

数据表

- TO-272BB Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 25.5dB 50 V - - 900 mA 220MHz 300W 110 V - TO-272 WB-4 - Chassis Mount
A3G26H350W17SR3

A3G26H350W17SR3

RF MOSFET GAN 48V NI780

NXP USA Inc.

2,577 -
A3G26H350W17SR3

数据表

- NI-780S-4S2S Tape & Reel (TR) Obsolete GaN - 13.3dB 48 V - - 250 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 59W 125 V - NI-780S-4S2S - -
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