MACOM Technology Solutions|单个场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 10

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	技术	配置	增益	电压 - 测试	电流额定值（安培）	噪声系数	电流 - 测试	频率	功率 - 输出	额定电压	等级	供应商设备封装	认证	安装类型
CGH27015F RF MOSFET HEMT 28V 440166 MACOM Technology Solutions	2	-	询价单	数据表	GaN	440166	Tray	Active	HEMT	-	15dB	28 V	-	-	100 mA	3GHz	15W	84 V	-	440166	-	-
CGH55030F1 RF MOSFET HEMT 28V 440166 MACOM Technology Solutions	21	-	询价单	数据表	GaN	440166	Tray	Active	HEMT	-	10dB	28 V	3A	-	250 mA	5.5GHz ~ 5.8GHz	30W	84 V	-	440166	-	-
CG2H40120F RF MOSFET HEMT 28V 440223 MACOM Technology Solutions	23	-	询价单	数据表	-	440223	Tray	Active	HEMT	-	20dB	28 V	28A	-	1 A	2.5GHz	130W	84 V	-	440223	-	Chassis Mount
MRF154 RF MOSFET 50V 368-03 MACOM Technology Solutions	10	-	询价单	数据表	-	368-03	Tray	Active	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	17dB	50 V	60A	-	800 mA	2MHz ~ 100MHz	600W	125 V	-	368-03, Style 2	-	-
MRF157 RF MOSFET 50V 368-03 1=1PC MACOM Technology Solutions	13	-	询价单	数据表	-	368-03	Tray	Active	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	21dB	50 V	60A	-	800 mA	80MHz	600W	125 V	-	368-03, Style 2	-	-
CGHV59350F RF MOSFET HEMT 50V 440217 MACOM Technology Solutions	15	-	询价单	数据表	GaN	440217	Tray	Active	HEMT	-	11.2dB	50 V	24A	-	1 A	5.2GHz ~ 5.9GHz	450W	125 V	-	440217	-	-
NPT1004D RF MOSFET HEMT 28V 8SOIC MACOM Technology Solutions	21	-	询价单	数据表	-	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	Tube	Active	HEMT	-	13dB	28 V	9.5A	-	350 mA	0Hz ~ 4GHz	37dBm	100 V	-	8-SOIC-EP	-	Surface Mount
CG2H80045D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE MACOM Technology Solutions	2	-	询价单	数据表	GaN	Die	Tray	Active	HEMT	-	15dB	28 V	-	-	500 mA	8GHz	45W	120 V	-	Die	-	-
CGH25120F RF MOSFET HEMT 28V 440162 MACOM Technology Solutions	7	-	询价单	数据表	GaN	440162	Tray	Not For New Designs	HEMT	-	12.5dB	28 V	-	-	500 mA	2.3GHz ~ 2.7GHz	130W	84 V	-	440162	-	Chassis Mount
CGHV50200F RF MOSFET HEMT 40V 440217 MACOM Technology Solutions	21	-	询价单	数据表	GaN	440217	Tray	Active	HEMT	-	11.8dB	40 V	17A	-	1 A	5GHz	200W	125 V	-	440217	-	-

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