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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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IGN1011L1200

IGN1011L1200

RF MOSFET HEMT 50V PL84A1

Integra Technologies Inc.

8 -
IGN1011L1200

数据表

- PL84A1 Tray Active HEMT - 16.8dB 50 V - - 160 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 1250W 180 V - PL84A1 - -
IGN1011L70

IGN1011L70

RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2

Integra Technologies Inc.

11 -
IGN1011L70

数据表

- PL32A2 Bulk Active GaN HEMT - 22dB 50 V - - 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 80W 120 V - PL32A2 - Chassis Mount
IGN1214L500B

IGN1214L500B

RF MOSFET HEMT 50V PL95A1

Integra Technologies Inc.

2 -
IGN1214L500B

数据表

- PL95A1 Tray Active HEMT - 15dB 50 V - - 200 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 650W 160 V - PL95A1 - -
IGT8292M50

IGT8292M50

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

10 -
IGT8292M50

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
IGN0912LM500

IGN0912LM500

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

9 -
IGN0912LM500

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
IGN2729M400R2

IGN2729M400R2

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

10 -
IGN2729M400R2

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
IGN1214M300

IGN1214M300

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

10 -
IGN1214M300

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
IGT2731M130

IGT2731M130

RF MOSFET HEMT 50V PL44A1

Integra Technologies Inc.

9,031 -
IGT2731M130

数据表

- PL44A1 Tray Active HEMT N-Channel 16dB 50 V - - 25 mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 130W 16 V - PL44A1 - Chassis Mount
IGT5259CW50

IGT5259CW50

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

9,887 -
IGT5259CW50

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
IGT1112M90

IGT1112M90

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

8,244 -
IGT1112M90

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
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