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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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CDA04N30X1C

CDA04N30X1C

GANFET 40V 30A .004 OHM 4DAPT

EPC Space, LLC

88 -
CDA04N30X1C

数据表

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CDA10N30X1C

CDA10N30X1C

GANFET 100V 30A .009 OHM 4DAPT

EPC Space, LLC

100 -
CDA10N30X1C

数据表

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CDA10N05X2C

CDA10N05X2C

GANFET 100V 5A .030 OHM 4DAPT

EPC Space, LLC

100 -
CDA10N05X2C

数据表

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CDA20N18X3C

CDA20N18X3C

GANFET 200V 18A .025 OHM 4DAPT

EPC Space, LLC

64 -
CDA20N18X3C

数据表

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC7004BC

EPC7004BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

EPC Space, LLC

41 -
EPC7004BC

数据表

- 4-SMD, No Lead Tray Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 30A (Tc) 5V 13mOhm @ 30A, 5V Surface Mount 2.5V @ 7mA 7 nC @ 5 V 100 V +6V, -4V 797 pF @ 50 V - - 4-SMD - - -55°C ~ 150°C (TJ)
EPC7001BC

EPC7001BC

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

EPC Space, LLC

146 -
EPC7001BC

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC7002AC

EPC7002AC

GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A

EPC Space, LLC

89 -
EPC7002AC

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC7007BSH

EPC7007BSH

GAN FET HEMT 200V 18A 4UB

EPC Space, LLC

50 -
EPC7007BSH

数据表

eGaN®, FSMD-B 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 5V 28mOhm @ 18A, 5V Surface Mount 2.5V @ 3mA 7 nC @ 5 V 200 V +6V, -4V 900 pF @ 100 V - - 4-SMD - - -55°C ~ 150°C (TJ)
EPC7001BSH

EPC7001BSH

GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B

EPC Space, LLC

50 -
EPC7001BSH

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC7002ASH

EPC7002ASH

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

EPC Space, LLC

50 -
EPC7002ASH

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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