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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
DMN2400UFB4-7B

DMN2400UFB4-7B

MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

Diodes Incorporated

5,711 -
DMN2400UFB4-7B

数据表

- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 750mA (Ta) 1.8V, 4.5V 550mOhm @ 600mA, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 36 pF @ 16 V AEC-Q101 - X2-DFN1006-3 Automotive 470mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
DMN2400UFB4-7R

DMN2400UFB4-7R

MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

Diodes Incorporated

6,123 -
DMN2400UFB4-7R

数据表

- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 750mA (Ta) 1.8V, 4.5V 550mOhm @ 600mA, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 36 pF @ 16 V AEC-Q101 - X2-DFN1006-3 Automotive 470mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
DMN2500UFB4-7B

DMN2500UFB4-7B

MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

Diodes Incorporated

3,483 -
DMN2500UFB4-7B

数据表

- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 810mA (Ta) 1.8V, 4.5V 400mOhm @ 600mA, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 0.737 nC @ 4.5 V 20 V ±6V 60.67 pF @ 16 V AEC-Q101 - X2-DFN1006-3 Automotive 460mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
DMN62D0LFD-13

DMN62D0LFD-13

MOSFET N-CH X1-DFN1212-3

Diodes Incorporated

5,047 -
DMN62D0LFD-13

数据表

- 3-UDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 310mA (Ta) 1.8V, 4V 2Ohm @ 100mA, 4V Surface Mount 1V @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 31 pF @ 25 V - - X1-DFN1212-3 - 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
DMS3014SFG-13

DMS3014SFG-13

MOSFET N-CH POWERDI3333-8

Diodes Incorporated

4,785 -
DMS3014SFG-13

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.5A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 10.4A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 45.7 nC @ 10 V 30 V ±12V 4310 pF @ 15 V AEC-Q101 Schottky Diode (Body) POWERDI3333-8 Automotive 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
DMT8008SPS-13

DMT8008SPS-13

MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8

Diodes Incorporated

5,455 -
DMT8008SPS-13

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 83A (Tc) 6V, 10V 7.8mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 34 nC @ 10 V 80 V ±20V 1950 pF @ 40 V - - PowerDI5060-8 - 1.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
DMTH10H009LPS-13

DMTH10H009LPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Diodes Incorporated

4,998 -
DMTH10H009LPS-13

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 40.2 nC @ 10 V 100 V ±20V 2309 pF @ 50 V - - PowerDI5060-8 - 1.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
DMTH8008LPS-13

DMTH8008LPS-13

MOSFET N-CH 80V 91A PWRDI5060-8

Diodes Incorporated

6,627 -
DMTH8008LPS-13

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 91A (Tc) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 2.8V @ 1mA 41.2 nC @ 10 V 80 V ±20V 2345 pF @ 40 V - - PowerDI5060-8 - 1.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
DMTH8008SPS-13

DMTH8008SPS-13

MOSFET N-CH 80V 92A PWRDI5060-8

Diodes Incorporated

8,143 -
DMTH8008SPS-13

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 92A (Tc) 6V, 10V 7.8mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 34 nC @ 10 V 80 V ±20V 1950 pF @ 40 V - - PowerDI5060-8 - 1.6W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
DMT10H9M9SPSW-13

DMT10H9M9SPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

Diodes Incorporated

2,833 -
DMT10H9M9SPSW-13

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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