| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) | 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 安装类型 | 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 漏极到源极电压 (Vdss) | 栅极电压 (Vgs)(最大值) | 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 认证 | FET 特性 | 供应商设备封装 | 等级 | 功耗(最大值) | 工作温度 |
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TM3E0039120ASIC MOSFET Coherent Corp |
90 | - |
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数据表 |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tray | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 60A | - | - | Surface Mount | - | - | 1200 V | - | - | AEC-Q101 | - | TO-263-7 | Automotive | - | - |
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TM3B0039120ASIC MOSFET Coherent Corp |
90 | - |
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数据表 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 60A | - | - | Through Hole | - | - | 1200 V | - | - | AEC-Q101 | - | TO-247-4 | Automotive | - | - |
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TM3B0020120A1200V 20MOHM SIC MOSFET TO247-4 Coherent Corp |
40 | - |
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数据表 |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |