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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Analog Power Inc. ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED APSEMI Bruckewell Cambridge GaN Devices Central Semiconductor Corp Coherent Corp Comchip Technology CoolCAD Diodes Incorporated Diotec Semiconductor EPC EPC Space, LLC EVVO Fairchild Semiconductor Fairchild/ON Semiconductor fastSiC Flip Electronics GaNPower GeneSiC Semiconductor Goford Semiconductor Good-Ark Semiconductor Harris Corporation Honeywell Aerospace HY Electronic (Cayman) Limited IceMOS Technology Infineon Technologies International Rectifier Intersil Inventchip IXYS IXYS Integrated Circuits Division Linear Integrated Systems, Inc. Littelfuse Inc. MaxLinear, Inc. MDD Meritek Micro Commercial Co Microchip Technology Microsemi Corporation Motorola National Semiconductor NEC Corporation Nexperia USA Inc. NextGen Components Group NoMIS Power NovuSem Nuvoton Technology Corporation NXP Semiconductors onsemi Panasonic - BSG Panjit International Inc. PN Junction Semiconductor Qorvo Quest Semi Rectron USA Renesas ROHM Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanyo SemiQ Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Siemens Siliconix Skyworks Solutions Inc. SMC Diode Solutions SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Corporation Texas Instruments Torex Semiconductor Ltd Toshiba Semiconductor and Storage Transphorm TT Electronics/Optek Technology UMW Venkel Vicor Corporation Vishay Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay Siliconix WeEn Semiconductors Wise-Integration Wolfspeed, Inc. YAGEO XSemi

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图片厂商料号库存情况价格数量数据表系列封装/外壳包装产品状态 FET 类型技术电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值）输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性供应商设备封装等级功耗（最大值）工作温度

CC-CN-23-0123

CC-CN-23-0123

SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3

CoolCAD

15

-

询价单

数据表

-

TO-247-3

Bulk

Active

-

SiCFET (Silicon Carbide)

20A (Ta)

-

85mOhm @ 10A, 15V

Through Hole

2.4V @ 5mA

16 nC @ 5 V

-

-

810 pF @ 200 V

-

-

TO-247-3

-

-

-40°C ~ 175°C (TJ)

CC-CL-75-1023

CC-CL-75-1023

SiC MOSFET 33A 1200V TO-247-3

CoolCAD

995

-

询价单

数据表

-

TO-247-3

Bulk

Active

N-Channel

SiCFET (Silicon Carbide)

33A

15V, 20V

70mOhm @ 10A, 20V

Through Hole

2.9V @ 10mA

90 nC @ 18 V

1200 V

+20V, -5V

930 pF @ 1000 V

-

-

TO-247-3

-

135W

175°C (TJ)

CC-C2-B15-0322

CC-C2-B15-0322

SiC Power MOSFET 1200V 12A

CoolCAD

30

-

询价单

数据表

-

TO-247-4

Bulk

Active

N-Channel

SiCFET (Silicon Carbide)

12A (Ta)

15V

135mOhm @ 10A, 15V

Through Hole

3.2V @ 5mA

40 nC @ 15 V

1200 V

+15V, -5V

1810 pF @ 200 V

-

-

TO-247

-

100W (Tc)

-40°C ~ 175°C (TJ)

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