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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Analog Power Inc. ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED APSEMI Bruckewell Cambridge GaN Devices Central Semiconductor Corp Coherent Corp Comchip Technology CoolCAD Diodes Incorporated Diotec Semiconductor EPC EPC Space, LLC EVVO Fairchild Semiconductor Fairchild/ON Semiconductor fastSiC Flip Electronics GaNPower GeneSiC Semiconductor Goford Semiconductor Good-Ark Semiconductor Harris Corporation Honeywell Aerospace HY Electronic (Cayman) Limited IceMOS Technology Infineon Technologies International Rectifier Intersil Inventchip IXYS IXYS Integrated Circuits Division Linear Integrated Systems, Inc. Littelfuse Inc. MaxLinear, Inc. MDD Meritek Micro Commercial Co Microchip Technology Microsemi Corporation Motorola National Semiconductor NEC Corporation Nexperia USA Inc. NextGen Components Group NoMIS Power NovuSem Nuvoton Technology Corporation NXP Semiconductors onsemi Panasonic - BSG Panjit International Inc. PN Junction Semiconductor Qorvo Quest Semi Rectron USA Renesas ROHM Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanyo SemiQ Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Siemens Siliconix Skyworks Solutions Inc. SMC Diode Solutions SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Corporation Texas Instruments Torex Semiconductor Ltd Toshiba Semiconductor and Storage Transphorm TT Electronics/Optek Technology UMW Venkel Vicor Corporation Vishay Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay Siliconix WeEn Semiconductors Wise-Integration Wolfspeed, Inc. YAGEO XSemi

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图片	厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
	NC1M120C75GTNG SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3 NovuSem	2,400	-	询价单	数据表	NC1M	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	47A (Tc)	20V	75mOhm @ 20A, 20V	Through Hole	2.8V @ 5mA	-	1200 V	+20V, -5V	1450 pF @ 1000 V	-	-	TO-247-3L	-	288W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	NC1M120C12HTNG SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A NovuSem	100	-	询价单	数据表	NC1M	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	214A (Tc)	20V	20mOhm @ 100A, 20V	Through Hole	3.5V @ 40mA	-	1200 V	+20V, -5V	8330 pF @ 1000 V	-	-	TO-247-4L	-	938W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	NC1M120C75HTNG SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4 NovuSem	100	-	询价单	数据表	NC1M	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	47A (Tc)	20V	75mOhm @ 20A, 20V	Through Hole	2.8V @ 5mA	-	1200 V	+20V, -5V	1450 pF @ 1000 V	-	-	TO-247-4L	-	288W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	NC1M120C75RRNG SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7 NovuSem	100	-	询价单	数据表	NC1M	TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	46A (Tc)	18V	75mOhm @ 20A, 18V	Surface Mount	2.3V @ 5mA	-	1200 V	+18V, -5V	1402 pF @ 1000 V	-	-	TO-263-7L	-	240W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)
	NC1M120C40GTNG SiC MOSFET N 1200V 40mohm 76A 3 NovuSem	100	-	询价单	数据表	NC1M	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	76A (Tc)	20V	40mOhm @ 35A, 20V	Through Hole	2.8V @ 10mA	-	1200 V	+20V, -5V	2534 pF @ 1000 V	-	-	TO-247-3L	-	375W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	NC1M120C40HTNG SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4 NovuSem	100	-	询价单	数据表	NC1M	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	75A (Tc)	20V	40mOhm @ 35A, 20V	Through Hole	2.8V @ 10mA	-	1200 V	+20V, -5V	2534 pF @ 1000 V	-	-	TO-247-4L	-	366W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)

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