富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
VN10KC-T1

VN10KC-T1

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Siliconix

57,811 -
VN10KC-T1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
ND2012L-TR1

ND2012L-TR1

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Siliconix

2,765 -
ND2012L-TR1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
ND2012L

ND2012L

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Siliconix

2,858 -
ND2012L

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户