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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PI5101-01-LGIZ

PI5101-01-LGIZ

MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA

Vicor Corporation

5,946 -
PI5101-01-LGIZ

数据表

Picor® µRDS(on)FET® 3-FLGA Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Ta) 3.5V, 4.5V 0.45mOhm @ 60A, 4.5V Surface Mount 800mV @ 1mA 65 nC @ 4.5 V 5 V ±5V 7600 pF @ 5 V - - 3-LGA (4.1x8) - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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