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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗（最大值） 工作温度

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    HCT7000MTX

    HCT7000MTX

    MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD

    TT Electronics/Optek Technology

    		 6,057 -
    询价单
    		HCT7000MTX

    数据表

         		- 3-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200mA (Ta) 10V 5Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 3V @ 1mA - 60 V ±40V 60 pF @ 25 V - - 3-SMD - 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
    HCT7000M

    HCT7000M

    MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD

    TT Electronics/Optek Technology

    		 2,430 -
    询价单
    		HCT7000M

    数据表

         		- 3-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200mA (Ta) 10V 5Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 3V @ 1mA - 60 V ±40V 60 pF @ 25 V - - 3-SMD - 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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