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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
STF22NM60ND

STF22NM60ND

MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP

STMicroelectronics

6,531 -
STF22NM60ND

数据表

FDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V 600 V ±25V 1800 pF @ 50 V AEC-Q101 - TO-220FP Automotive 30W (Tc) 150°C (TJ)
STD7N65M2

STD7N65M2

MOSFET N-CH 650V 5A DPAK

STMicroelectronics

68 -
STD7N65M2

数据表

MDmesh™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 9 nC @ 10 V 650 V ±25V 270 pF @ 100 V - - DPAK - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STD3N40K3

STD3N40K3

MOSFET N CH 400V 2A DPAK

STMicroelectronics

63 -
STD3N40K3

数据表

SuperMESH3™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 900mA, 10V Surface Mount 4.5V @ 50µA 11 nC @ 10 V 400 V ±30V 165 pF @ 50 V - - DPAK - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STP5N60M2

STP5N60M2

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220

STMicroelectronics

15 -
STP5N60M2

数据表

MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.7A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 4.5 nC @ 10 V 600 V ±25V 165 pF @ 100 V - - TO-220 - 45W (Tc) 150°C (TJ)
STW43N60DM2

STW43N60DM2

MOSFET N-CH 600V 34A TO247

STMicroelectronics

600 -
STW43N60DM2

数据表

MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 34A (Tc) 10V 93mOhm @ 17A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 56 nC @ 10 V 600 V ±25V 2500 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STP310N10F7

STP310N10F7

MOSFET N CH 100V 180A TO-220

STMicroelectronics

571 -
STP310N10F7

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V Through Hole 3.8V @ 250µA 180 nC @ 10 V 100 V ±20V 12800 pF @ 25 V - - TO-220 - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STH270N8F7-6

STH270N8F7-6

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK

STMicroelectronics

2,814 -
STH270N8F7-6

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V 80 V ±20V 13600 pF @ 50 V - - H2PAK - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STB18NM80

STB18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

STMicroelectronics

9,305 -
STB18NM80

数据表

MDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 10V 295mOhm @ 8.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V 800 V ±25V 2070 pF @ 50 V - - TO-263 (D2PAK) - 190W (Tc) 150°C (TJ)
STH260N6F6-2

STH260N6F6-2

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2

STMicroelectronics

978 -
STH260N6F6-2

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 60A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 183 nC @ 10 V 60 V ±20V 11800 pF @ 25 V - - H2PAK-2 - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STF11NM80

STF11NM80

MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

STMicroelectronics

954 -
STF11NM80

数据表

MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 43.6 nC @ 10 V 800 V ±30V 1630 pF @ 25 V - - TO-220FP - 35W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ)
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