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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STP13NM50N

STP13NM50N

MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

STMicroelectronics

6,085 -
STP13NM50N

数据表

MDmesh™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V 500 V ±25V 960 pF @ 50 V - - TO-220 - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STL105N4LF7AG

STL105N4LF7AG

MOSFET N-CH 40V 105A POWERFLAT

STMicroelectronics

10,540 -
STL105N4LF7AG

数据表

STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 105A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 11.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 23.3 nC @ 10 V 40 V ±20V 1500 pF @ 25 V AEC-Q101 - PowerFlat™ (5x6) Automotive 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STL45N10F7AG

STL45N10F7AG

MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT

STMicroelectronics

2,735 -
STL45N10F7AG

数据表

STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 24mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V 100 V ±20V 1450 pF @ 50 V AEC-Q101 - PowerFlat™ (5x6) Automotive 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STD12N65M2

STD12N65M2

MOSFET N-CH 650V 8A DPAK

STMicroelectronics

1,753 -
STD12N65M2

数据表

MDmesh™ M2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V 650 V ±25V 535 pF @ 100 V - - DPAK - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STU13N60M2

STU13N60M2

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

STMicroelectronics

1,225 -
STU13N60M2

数据表

MDmesh™ II Plus TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V 600 V ±25V 580 pF @ 100 V - - TO-251 (IPAK) - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB200NF04L-1

STB200NF04L-1

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

STMicroelectronics

4,649 -
STB200NF04L-1

数据表

STripFET™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 5V, 10V 3.8mOhm @ 50A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 90 nC @ 4.5 V 40 V ±16V 6400 pF @ 25 V - - I2PAK - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STB11NM60N-1

STB11NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

STMicroelectronics

4,786 -
STB11NM60N-1

数据表

MDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 450mOhm @ 5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V 600 V ±25V 850 pF @ 50 V - - I2PAK - 90W (Tc) 150°C (TJ)
STI11NM60ND

STI11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

STMicroelectronics

7,985 -
STI11NM60ND

数据表

FDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 450mOhm @ 5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V 600 V ±25V 850 pF @ 50 V - - I2PAK - 90W (Tc) 150°C (TJ)
STD26NF10

STD26NF10

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

STMicroelectronics

4,041 -
STD26NF10

数据表

STripFET™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 38mOhm @ 12.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 55 nC @ 10 V 100 V ±20V 1550 pF @ 25 V - - DPAK - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STL140N4F7AG

STL140N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

STMicroelectronics

3,123 -
STL140N4F7AG

数据表

STripFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 16A, 10V Surface Mount, Wettable Flank 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V 40 V ±20V 2300 pF @ 25 V AEC-Q101 - PowerFlat™ (5x6) Automotive 111W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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