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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STD60N55F3

STD60N55F3

MOSFET N-CH 55V 80A DPAK

STMicroelectronics

5,284 -
STD60N55F3

数据表

STripFET™ III TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V 55 V ±20V 2200 pF @ 25 V - - DPAK - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STW6N120K3

STW6N120K3

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247

STMicroelectronics

4,020 -
STW6N120K3

数据表

SuperMESH3™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 10V 2.4Ohm @ 2.5A, 10V Through Hole 5V @ 100µA 34 nC @ 10 V 1200 V ±30V 1050 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB21NM60N-1

STB21NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK

STMicroelectronics

9,618 -
STB21NM60N-1

数据表

MDmesh™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V 600 V ±25V 1900 pF @ 50 V - - I2PAK - 140W (Tc) 150°C (TJ)
STW60NE10

STW60NE10

MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3

STMicroelectronics

7,058 -
STW60NE10

数据表

STripFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 22mOhm @ 30A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V 100 V ±20V 5300 pF @ 25 V - - TO-247-3 - 180W (Tc) 175°C (TJ)
STW13NB60

STW13NB60

MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3

STMicroelectronics

7,253 -
STW13NB60

数据表

PowerMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Tc) 10V 540mOhm @ 6.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 82 nC @ 10 V 600 V ±30V 2600 pF @ 25 V - - TO-247-3 - 190W (Tc) 150°C (TJ)
STB21NM50N

STB21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK

STMicroelectronics

9,612 -
STB21NM50N

数据表

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V 500 V ±25V 1950 pF @ 25 V - - D2PAK - 140W (Tc) 150°C (TJ)
STP21NM60ND

STP21NM60ND

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

STMicroelectronics

2,047 -
STP21NM60ND

数据表

FDmesh™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V 600 V ±25V 1800 pF @ 50 V - - TO-220 - 140W (Tc) 150°C (TJ)
STH80N10F7-2

STH80N10F7-2

MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2

STMicroelectronics

7,800 -
STH80N10F7-2

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 9.5mOhm @ 40A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V 100 V ±20V 3100 pF @ 50 V - - H2PAK-2 - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STD65N55LF3

STD65N55LF3

MOSFET N-CH 55V 80A DPAK

STMicroelectronics

9,343 -
STD65N55LF3

数据表

STripFET™ III TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 5V, 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 20 nC @ 5 V 55 V ±20V 2200 pF @ 25 V - - DPAK - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STF23NM60ND

STF23NM60ND

MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP

STMicroelectronics

5,084 -
STF23NM60ND

数据表

FDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19.5A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V 600 V ±25V 2050 pF @ 50 V - - TO-220FP - 35W (Tc) 150°C (TJ)
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