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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STT5N2VH5

STT5N2VH5

MOSFET N-CH 20V SOT23-6

STMicroelectronics

11,726 -
STT5N2VH5

数据表

STripFET™ V SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tj) 2.5V, 4.5V 30mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 700mV @ 250µA (Min) 4.6 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 367 pF @ 16 V - - SOT-23-6 - 1.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STK130N4LF7AG

STK130N4LF7AG

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,

STMicroelectronics

18 -
STK130N4LF7AG

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V 40 V ±20V 1850 pF @ 25 V AEC-Q101 - LFPAK56, Power-SO8 Automotive 105W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STL11N4LLF5

STL11N4LLF5

MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT

STMicroelectronics

5 -
STL11N4LLF5

数据表

STripFET™ V 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 5.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 12.9 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 1570 pF @ 25 V - - PowerFlat™ (3.3x3.3) - 2.9W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STW8NB100

STW8NB100

MOSFET N-CH 1000V 7.3A TO247-3

STMicroelectronics

2,443 -
STW8NB100

数据表

PowerMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.3A (Tc) 10V 1.45Ohm @ 3.6A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 95 nC @ 10 V 1000 V ±30V 2900 pF @ 25 V - - TO-247-3 - 190W (Tc) 150°C (TJ)
STP34NM60N

STP34NM60N

MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3

STMicroelectronics

267 -
STP34NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 29A (Tc) 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V 600 V ±25V 2722 pF @ 100 V - - TO-220 - 250W (Tc) 150°C (TJ)
STW12N120K5

STW12N120K5

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

STMicroelectronics

1,172 -
STW12N120K5

数据表

MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 690mOhm @ 6A, 10V Through Hole 5V @ 100µA 44.2 nC @ 10 V 1200 V ±30V 1370 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCTWA35N65G2V

SCTWA35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247

STMicroelectronics

577 -
SCTWA35N65G2V

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 45A (Tc) 18V, 20V 72mOhm @ 20A, 20V Through Hole 3.2V @ 1mA 73 nC @ 20 V 650 V +20V, -5V 73000 pF @ 400 V - - TO-247 Long Leads - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STW65N65DM2AG

STW65N65DM2AG

MOSFET N-CH 650V 60A TO247

STMicroelectronics

349 -
STW65N65DM2AG

数据表

MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 50mOhm @ 30A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 650 V ±25V 5500 pF @ 100 V AEC-Q101 - TO-247-3 Automotive 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB300NH02L

STB300NH02L

MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK

STMicroelectronics

3,795 -
STB300NH02L

数据表

STripFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 109.4 nC @ 10 V 24 V ±20V 7055 pF @ 15 V - - D2PAK - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STI200N6F3

STI200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

STMicroelectronics

5,654 -
STI200N6F3

数据表

STripFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 60A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 101 nC @ 10 V 60 V ±20V 6265 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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