SemiQ|场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 1

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
GP2T080A120H SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L SemiQ	132	-	询价单	数据表	-	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	35A (Tc)	20V	100mOhm @ 20A, 20V	Through Hole	4V @ 10mA	61 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	1377 pF @ 1000 V	-	-	TO-247-4	-	188W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
GP2T080A120U SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L SemiQ	1,149	-	询价单	数据表	-	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	35A (Tc)	20V	100mOhm @ 20A, 20V	Through Hole	4V @ 10mA	58 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	1377 pF @ 1000 V	-	-	TO-247-3	-	188W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
GCMX040B120S1-E1 SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227 SemiQ	100	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	57A (Tc)	20V	52mOhm @ 40A, 20V	Chassis Mount	4V @ 10mA	121 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	3185 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	242W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
GCMX020B120S1-E1 SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227 SemiQ	30	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	113A (Tc)	20V	28mOhm @ 50A, 20V	Chassis Mount	4V @ 20mA	216 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	5349 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	395W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
GP2T040A120H SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L SemiQ	60	-	询价单	数据表	-	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	63A (Tc)	20V	52mOhm @ 40A, 20V	Through Hole	4V @ 10mA	118 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	3192 pF @ 1000 V	-	-	TO-247-4	-	322W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
GCMX080B120S1-E1 SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227 SemiQ	48	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	30A (Tc)	20V	100mOhm @ 20A, 20V	Chassis Mount	4V @ 10mA	58 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	1336 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	142W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
GCMS080B120S1-E1 SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S SemiQ	37	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	30A (Tc)	20V	100mOhm @ 20A, 20V	Chassis Mount	4V @ 10mA	58 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	1374 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	142W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
GP2T040A120U SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L SemiQ	61	-	询价单	数据表	-	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	63A (Tc)	20V	52mOhm @ 40A, 20V	Through Hole	4V @ 10mA	118 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	3192 pF @ 1000 V	-	-	TO-247-3	-	322W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
GCMS040B120S1-E1 SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S SemiQ	3,323	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	57A (Tc)	20V	52mOhm @ 40A, 20V	Chassis Mount	4V @ 10mA	124 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	3110 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	242W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)