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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Analog Power Inc. ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED APSEMI Bruckewell Cambridge GaN Devices Central Semiconductor Corp Coherent Corp Comchip Technology CoolCAD Diodes Incorporated Diotec Semiconductor EPC EPC Space, LLC EVVO Fairchild Semiconductor Fairchild/ON Semiconductor fastSiC Flip Electronics GaNPower GeneSiC Semiconductor Goford Semiconductor Good-Ark Semiconductor Harris Corporation Honeywell Aerospace HY Electronic (Cayman) Limited IceMOS Technology Infineon Technologies International Rectifier Intersil Inventchip IXYS IXYS Integrated Circuits Division Linear Integrated Systems, Inc. Littelfuse Inc. MaxLinear, Inc. MDD Meritek Micro Commercial Co Microchip Technology Microsemi Corporation Motorola National Semiconductor NEC Corporation Nexperia USA Inc. NextGen Components Group NoMIS Power NovuSem Nuvoton Technology Corporation NXP Semiconductors onsemi Panasonic - BSG Panjit International Inc. PN Junction Semiconductor Qorvo Quest Semi Rectron USA Renesas ROHM Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanyo SemiQ Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Siemens Siliconix Skyworks Solutions Inc. SMC Diode Solutions SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Corporation Texas Instruments Torex Semiconductor Ltd Toshiba Semiconductor and Storage Transphorm TT Electronics/Optek Technology UMW Venkel Vicor Corporation Vishay Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay Siliconix WeEn Semiconductors Wise-Integration Wolfspeed, Inc. YAGEO XSemi

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图片	厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
	RM2333 MOSFET P-CHANNEL 12V 6A SOT23 Rectron USA	15,000	-	询价单	数据表	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	6A (Ta)	2.5V, 4.5V	30mOhm @ 6A, 4.5V	Surface Mount	1V @ 250µA	-	12 V	±12V	1100 pF @ 6 V	-	-	SOT-23	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)
	RM3407 MOSFET P-CHANNEL 30V 4.3A SOT23 Rectron USA	6,000	-	询价单	数据表	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	52mOhm @ 4A, 10V	Surface Mount	3V @ 250µA	-	30 V	±20V	700 pF @ 15 V	-	-	SOT-23	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)
	RM40P40LD MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252-2 Rectron USA	2,432	-	询价单	数据表	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40A (Tc)	10V	14mOhm @ 12A, 10V	Surface Mount	3V @ 250µA	-	40 V	±20V	2960 pF @ 20 V	-	-	TO-252-2	-	80W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	RM12N650T2 MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3 Rectron USA	2,000	-	询价单	数据表	-	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	11.5A (Tc)	10V	360mOhm @ 7A, 10V	Through Hole	4V @ 250µA	-	650 V	±30V	870 pF @ 50 V	-	-	TO-220-3	-	101W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)
	RM100N40DFV N Channel 100A 40V DFN5X6 Rectron USA	50,000	-	询价单	数据表	-	8-PowerVDFN	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100A (Tc)	4.5V, 10V	3.2mOhm @ 30A, 10V	Surface Mount	2.2V @ 250µA	28.3 nC @ 10 V	40 V	±20V	1827 pF @ 20 V	-	-	8-DFN (5x6)	-	75W (Tc)	175°C (TJ)

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