富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Rohm Semiconductor

3,903 -
RQ1E100XNTR

数据表

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 4V, 10V 10.5mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 12.7 nC @ 5 V 30 V ±20V 1000 pF @ 10 V - - TSMT8 - 550mW (Ta) 150°C (TJ)
DMPH3010LK3Q-13

DMPH3010LK3Q-13

MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

Diodes Incorporated

5,866 -
DMPH3010LK3Q-13

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.1V @ 250µA 139 nC @ 10 V 30 V ±20V 6807 pF @ 15 V AEC-Q101 - TO-252 (DPAK) Automotive 3.9W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
共 36322 条记录«上一页1... 18131814181518161817下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户