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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDY301NZ_G

FDY301NZ_G

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

onsemi

5,683 -
FDY301NZ_G

数据表

PowerTrench® SC-89, SOT-490 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200mA (Ta) 1.5V, 4.5V 5Ohm @ 200mA, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 60 pF @ 10 V - - SC-89-3 - 625mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDZ191P_P

FDZ191P_P

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

onsemi

3,866 -
FDZ191P_P

数据表

PowerTrench® 6-UFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 1.5V, 4.5V 85mOhm @ 1A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 20 V ±8V 800 pF @ 10 V - - 6-WLCSP (1x1.5) - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
2N7000BU_T

2N7000BU_T

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

onsemi

8,281 -
2N7000BU_T

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200mA (Tc) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V Through Hole 3V @ 1mA - 60 V ±20V 50 pF @ 25 V - - TO-92-3 - 400mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SLC3012CMX

SLC3012CMX

MOSFET N-CH

onsemi

3,806 -
SLC3012CMX

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
SMC6280P

SMC6280P

MOSFET N-CH

onsemi

8,188 -
SMC6280P

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQD5N40TF

FQD5N40TF

MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

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8,674 -
FQD5N40TF

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.4A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 1.7A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 400 V ±30V 460 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDD5N50TF_WS

FDD5N50TF_WS

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

onsemi

2,885 -
FDD5N50TF_WS

数据表

UniFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V 500 V ±30V 640 pF @ 25 V - - TO-252AA - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQU6N40CTU_NBEA001

FQU6N40CTU_NBEA001

MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK

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2,402 -
FQU6N40CTU_NBEA001

数据表

QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.25A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V 400 V ±30V 625 pF @ 25 V - - IPAK - 2.5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRLI510ATU

IRLI510ATU

MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK

onsemi

5,569 -
IRLI510ATU

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.6A (Tc) 5V 440mOhm @ 2.8A, 5V Through Hole 2V @ 250µA 8 nC @ 5 V 100 V ±20V 235 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 3.8W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTF2955PT1G

NTF2955PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

onsemi

3,351 -
NTF2955PT1G

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.7A (Ta) 10V 185mOhm @ 2.4A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 14.3 nC @ 10 V 60 V ±20V 492 pF @ 25 V - - SOT-223 (TO-261) - 1W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
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