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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FQA24N50F_F109

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MOSFET N-CH 500V 24A TO3P

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6,863 -
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数据表

FRFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 200mOhm @ 12A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 500 V ±30V 4500 pF @ 25 V - - TO-3P - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQA24N50_F109

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MOSFET N-CH 500V 24A TO3P

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9,939 -
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数据表

FRFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 200mOhm @ 12A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 500 V ±30V 4500 pF @ 25 V - - TO-3P - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQA28N50_F109

FQA28N50_F109

MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P

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3,110 -
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数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28.4A (Tc) 10V 160mOhm @ 14.2A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 140 nC @ 10 V 500 V ±30V 5600 pF @ 25 V - - TO-3P - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQI27N25TU-F085

FQI27N25TU-F085

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

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7,731 -
FQI27N25TU-F085

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25.5A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.75A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 65 nC @ 10 V 250 V ±30V 1800 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-262 (I2PAK) Automotive 3.13W (Ta), 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF76639S3ST

HUF76639S3ST

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

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1 -
HUF76639S3ST

数据表

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 51A (Tc) 4.5V, 10V 26mOhm @ 51A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 86 nC @ 10 V 100 V ±16V 2400 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDB12N50TM

FDB12N50TM

MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

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1 -
FDB12N50TM

数据表

UniFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11.5A (Tc) 10V 650mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V 500 V ±30V 1315 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 165W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVTFS4C02NWFTAG

NVTFS4C02NWFTAG

MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,

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6,875 -
NVTFS4C02NWFTAG

数据表

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28.3A (Ta), 162A (Tc) 4.5V, 10V 2.25mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 45 nC @ 10 V 30 V ±20V 2980 pF @ 15 V AEC-Q101 - 8-WDFN (3.3x3.3) Automotive 3.2W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTMFS4925NT3G

NTMFS4925NT3G

MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN

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9,256 -
NTMFS4925NT3G

数据表

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.7A (Ta), 48A (Tc) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V 30 V ±20V 1264 pF @ 15 V - - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 920mW (Ta), 23.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTTFS5826NLTWG

NTTFS5826NLTWG

MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN

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5,934 -
NTTFS5826NLTWG

数据表

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 7.5A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 25 nC @ 10 V 60 V ±20V 850 pF @ 25 V - - 8-WDFN (3.3x3.3) - 3.1W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTMJS1D5N04CLTWG

NTMJS1D5N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK

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7,008 -
NTMJS1D5N04CLTWG

数据表

- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Ta), 200A (Tc) 4.5V, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 2V @ 130µA 70 nC @ 10 V 40 V ±20V 4300 pF @ 20 V - - 8-LFPAK - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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