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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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NTTFS6H880NLTAG

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MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN

onsemi

2,176 -
NTTFS6H880NLTAG

数据表

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.6A (Ta), 22A (Tc) 4.5V, 10V 29mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 2V @ 20µA 9 nC @ 10 V 80 V ±20V 431 pF @ 40 V - - 8-WDFN (3.3x3.3) - 3.1W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTVS3141PT2G

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MOSFET P-CH 20V CSP-6

onsemi

2,493 -
NTVS3141PT2G

数据表

- 6-UFBGA, FCBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.9A (Ta) - - Surface Mount - - 20 V - - - - 6-FlipChip (1x1.5) - - -
NTTFS030N06CTAG

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MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN

onsemi

6,909 -
NTTFS030N06CTAG

数据表

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Ta), 19A (Tc) 10V 29.7mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 4V @ 13µA 4.7 nC @ 10 V 60 V ±20V 255 pF @ 30 V - - 8-WDFN (3.3x3.3) - 2.5W (Ta), 23W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NDD04N60Z-1G

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MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAK

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5,725 -
NDD04N60Z-1G

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.1A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V Through Hole 4.5V @ 50µA 29 nC @ 10 V 600 V ±30V 640 pF @ 25 V - - IPAK - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTB6411ANG

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MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK

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6,974 -
NTB6411ANG

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 77A (Tc) 10V 14mOhm @ 72A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V 100 V ±20V 3700 pF @ 25 V - - D2PAK - 217W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTB6413ANG

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MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

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7,692 -
NTB6413ANG

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 10V 28mOhm @ 42A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V 100 V ±20V 1800 pF @ 25 V - - D2PAK - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD4913NT4G

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MOSFET N-CH 30V 7.7A/32A DPAK

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7,541 -
NTD4913NT4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.7A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 13 nC @ 10 V 30 V ±20V 1013 pF @ 15 V - - DPAK - 1.36W (Ta), 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD6415ANT4G

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MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

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4,629 -
NTD6415ANT4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 23A (Tc) 10V 55mOhm @ 23A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V 100 V ±20V 700 pF @ 25 V - - DPAK - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD6416AN-1G

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MOSFET N-CH 100V 17A IPAK

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6,520 -
NTD6416AN-1G

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 10V 81mOhm @ 17A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V 100 V ±20V 620 pF @ 25 V - - IPAK - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD6416ANL-1G

NTD6416ANL-1G

MOSFET N-CH 100V 19A IPAK

onsemi

8,717 -
NTD6416ANL-1G

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Tc) 4.5V, 10V 74mOhm @ 19A, 10V Through Hole 2.2V @ 250µA 40 nC @ 10 V 100 V ±20V 1000 pF @ 25 V - - IPAK - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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