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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FQB8N25TM

FQB8N25TM

MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK

onsemi

4,483 -
FQB8N25TM

数据表

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 550mOhm @ 4A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V 250 V ±30V 530 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.13W (Ta), 87W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVMFS5C456NLWFT1G

NVMFS5C456NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

2,439 -
NVMFS5C456NLWFT1G

数据表

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 87A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 18 nC @ 10 V 40 V ±20V 1600 pF @ 25 V AEC-Q101 - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Automotive 3.6W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDB6021P

FDB6021P

MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB

onsemi

9,515 -
FDB6021P

数据表

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Ta) 1.8V, 4.5V 30mOhm @ 14A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1890 pF @ 10 V - - TO-263 (D2PAK) - 37W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ)
FQPF4N50

FQPF4N50

MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220F

onsemi

6,665 -
FQPF4N50

数据表

QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.3A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.15A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 500 V ±30V 460 pF @ 25 V - - TO-220F-3 - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTMFS0D8N03CT1G

NTMFS0D8N03CT1G

MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,

onsemi

1,445 -
NTMFS0D8N03CT1G

数据表

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 54A (Ta), 337A (Tc) 4.5V, 10V 0.74mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.2V @ 200µA 50 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 7690 pF @ 15 V - - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 3.8W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQD5N50CTF

FQD5N50CTF

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

onsemi

4,208 -
FQD5N50CTF

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V 500 V ±30V 625 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVMYS007N10MCLTWG

NVMYS007N10MCLTWG

PTNG 100V LL LFPAK4

onsemi

2,960 -
NVMYS007N10MCLTWG

数据表

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Ta), 83A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 3V @ 141µA 37 nC @ 10 V 100 V ±20V 2700 pF @ 50 V AEC-Q101 - LFPAK4 (5x6) Automotive 3.8W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDS4141SN00136P

FDS4141SN00136P

MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC

onsemi

9,085 -
FDS4141SN00136P

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.8A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 10.5A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 49 nC @ 10 V 40 V ±20V 2670 pF @ 20 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PCF6294W

PCF6294W

IC MOSFET N-CH 30V

onsemi

6,498 -
PCF6294W

数据表

- - Bulk Obsolete - - 13A (Tj) - - - - - - - - - - - - - -
FDC658APG

FDC658APG

MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6

onsemi

4,239 -
FDC658APG

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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