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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDC638P-P

FDC638P-P

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

onsemi

5,129 -
FDC638P-P

数据表

PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 48mOhm @ 4.5A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1160 pF @ 10 V - - SuperSOT™-6 - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDC2512-P

FDC2512-P

MOSFET N-CH 150V SUPERSOT6

onsemi

4,363 -
FDC2512-P

数据表

PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.4A (Ta) 6V, 10V 425mOhm @ 1.4A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V 150 V ±20V 344 pF @ 75 V - - SuperSOT™-6 - 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVD5C648NLT4G

NVD5C648NLT4G

MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK

onsemi

1,455 -
NVD5C648NLT4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Ta), 89A (Tc) 4.5V, 10V 4.1mOhm @ 45A, 10V Surface Mount 2.1V @ 250µA 39 nC @ 10 V 60 V ±20V 2900 pF @ 25 V AEC-Q101 - DPAK Automotive 3.1W (Ta), 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FCPF380N60E

FCPF380N60E

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F

onsemi

1,945 -
FCPF380N60E

数据表

SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.2A (Tc) 10V 380mOhm @ 5A, 10V Through Hole 3.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V 600 V ±20V 1770 pF @ 25 V - - TO-220F-3 - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTP190N65S3HF

NTP190N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3

onsemi

724 -
NTP190N65S3HF

数据表

FRFET®, SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V Through Hole 5V @ 430µA 34 nC @ 10 V 650 V ±30V 1610 pF @ 400 V - - TO-220-3 - 162W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQPF6N60C

FQPF6N60C

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220F

onsemi

7,753 -
FQPF6N60C

数据表

QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.5A (Tc) 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V 600 V ±30V 810 pF @ 25 V - - TO-220F-3 - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDT3612-SN00151

FDT3612-SN00151

MOSFET N-CH 100V SOT223

onsemi

5,445 -
FDT3612-SN00151

数据表

PowerTrench® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.7A (Ta) 6V, 10V 120mOhm @ 3.7A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V 100 V ±20V 632 pF @ 50 V - - SOT-223 - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CPH3459-TL-W

CPH3459-TL-W

MOSFET N-CH 200V 500MA 3CPH

onsemi

5,314 -
CPH3459-TL-W

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500mA (Ta) 4V, 10V 3.7Ohm @ 250mA, 10V Surface Mount 2.6V @ 1mA 2.4 nC @ 10 V 200 V ±20V 90 pF @ 20 V - - 3-CPH - 1W (Ta) 150°C (TJ)
3LN01C-TB-E

3LN01C-TB-E

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

onsemi

7,976 -
3LN01C-TB-E

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150mA (Ta) 1.5V, 4V 3.7Ohm @ 80mA, 4V Surface Mount - 1.58 nC @ 10 V 30 V ±10V 7 pF @ 10 V - - SC-59-3/CP3 - 250mW (Ta) 150°C (TJ)
NTMYS1D2N04CLTWG

NTMYS1D2N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4

onsemi

3,367 -
NTMYS1D2N04CLTWG

数据表

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Ta), 258A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 2V @ 180µA 109 nC @ 10 V 40 V ±20V 6330 pF @ 20 V - - LFPAK4 (5x6) - 3.9W (Ta), 134W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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