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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗（最大值） 工作温度

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    图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗（最大值） 工作温度
    N3T080MP120D

    N3T080MP120D

    1200 V, 38A SIC MOSFET, TO-247

    NoMIS Power

    		 1,005 -
    询价单
    		N3T080MP120D

    数据表

         		1200 TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 38A 20V 100mOhm @ 15A, 20V Through Hole 3V @ 15mA 53 nC @ 20 V 1200 V +20V, -5V 896 pF @ 800 V - - TO-247-3L - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
    N3T035MP120D

    N3T035MP120D

    1200 V, 76A SIC MOSFET, TO-247

    NoMIS Power

    		 652 -
    询价单
    		N3T035MP120D

    数据表

         		1200 TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 76A 20V 45mOhm @ 30A, 20V Through Hole 3V @ 15mA 126 nC @ 20 V 1200 V +20V, -5V 2204 pF @ 800 V - - TO-247-3L - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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