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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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MFT6P3A5S223

MFT6P3A5S223

MOSFET 60V 3.5A 3W SOT-223 P-Ch

Meritek

55,000 -
MFT6P3A5S223

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.5A (Ta) - - - - 10.8 nC @ 30 V 60 V - 880 pF @ 30 V - - - - - -
MFT6N4A0S223

MFT6N4A0S223

MOSFET 60V 4A 3W SOT-223 N-Ch

Meritek

2,000 -
MFT6N4A0S223

数据表

- - Strip Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Ta) - - - - 3.6 nC @ 30 V 60 V - 3230 pF @ 50 V - - - - - -
MFT6N48T252

MFT6N48T252

MOSFET N 60V 48A 188W TO-252

Meritek

2,500 -
MFT6N48T252

数据表

- - Strip Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Ta) - - - - 21 nC @ 50 V 60 V - 1290 pF @ 50 V - - - - - -
MFT4N200T220

MFT4N200T220

MOSFET 40v 200A 166W N-Channel

Meritek

2,460 -
MFT4N200T220

数据表

- - Strip Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200A (Ta) - - - - 235 nC @ 10 V 40 V - 6120 pF @ 15 V - - - - - -
MFT62NA64S363EA

MFT62NA64S363EA

MOSFET 60V 0.64A 0.30W SOT-363

Meritek

3,010 -
MFT62NA64S363EA

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 640mA (Ta) - - - - - 60 V - 17 pF @ 25 V - - - - - -
MFT2N3A0S23

MFT2N3A0S23

N-Channel MOSFET 20V 3A 0.5W SOT

Meritek

3,010 -
MFT2N3A0S23

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Surface Mount - - - ±12V 280 pF @ 10 V - - - - 500mW -55°C ~ 150°C
MFT10N168AT263

MFT10N168AT263

MOSFET 100V 168A 188W N-CHANNEL

Meritek

3,200 -
MFT10N168AT263

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 168A (Ta) - - - - 88 nC @ 50 V 100 V - 3230 pF @ 50 V - - - - - -
MFT10N70P56

MFT10N70P56

MOSFET - PPAK5X6 100V 70A N-Chan

Meritek

100 -
MFT10N70P56

数据表

- - Strip Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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